[發(fā)明專利]一種荷電裝置及荷電發(fā)電方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610209779.7 | 申請日: | 2016-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN105634322A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 杜學華;杜思聰 | 申請(專利權)人: | 杜學華 |
| 主分類號: | H02N1/00 | 分類號: | H02N1/00 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 馮倩 |
| 地址: | 644300 四川省宜*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 裝置 發(fā)電 方法 | ||
1.一種荷電裝置,其特征在于,包括導體屏蔽罩、導體殼體、探 針和導線,所述導體殼體設置開孔,所述導體屏蔽罩設置在所述導體殼體 外周,所述導體屏蔽罩設置開口部,所述開口部通過所述開孔伸入所述導 體殼體并與導體殼體絕緣連接,所述導體屏蔽罩接地,所述探針的一端穿 過所述導體屏蔽罩,所述導線的一端連接于所述探針的另一端,所述導線 設置在導體屏蔽罩外周,所述導線的另一端通過開口部連接至導體殼體的 內(nèi)表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的荷電裝置,其特征在于,所述探針的一端 設置在所述導體屏蔽罩與所述導體殼體之間,所述探針可移動地設置于所 述導體屏蔽罩以調(diào)節(jié)所述探針的一端與所述導體殼體的外表面的距離。
3.根據(jù)權利要求1所述的荷電裝置,其特征在于,所述導體屏蔽 罩的開口部為兩端開口的圓柱,所述開口部伸入導體殼體的一端的周緣向 導體殼體的內(nèi)表面延伸。
4.根據(jù)權利要求1所述的荷電裝置,其特征在于,還包括起電裝 置,所述起電裝置內(nèi)置于導體殼體并與導體殼體的內(nèi)壁連接。
5.一種荷電發(fā)電方法,其特征在于,應用于權利要求1-4任一所 述的荷電裝置,所述方法包括:
利用一起電設備產(chǎn)生電荷,所述電荷分布至所述導體殼體的外表面產(chǎn) 生電場,該電場存在于所述導體殼體外表面與所述導體屏蔽罩內(nèi)表面之 間,所述導體殼體內(nèi)部無電場,所述導體屏蔽罩外部無電場,所述導體殼 體內(nèi)部與所述導體屏蔽罩外部由所述開口部形成的通道連接成連續(xù)的無 電場區(qū)域;
朝所述導體殼體的外表面的方向移動所述探針,所述探針尖端放電; 所述導體殼體的外表面的電荷循環(huán)地依次轉移至所述探針,并經(jīng)所述導線 回到所述導體殼體的內(nèi)表面,再通過導體殼體的內(nèi)表面轉移到所述導體殼 體的外表面以形成電流回路。
6.一種荷電裝置,其特征在于,包括導體殼體、外導體屏蔽罩和 導線,所述導體殼體設置有第一開孔和第二開孔,所述外導體屏蔽罩設置 在所述導體殼體外周,所述外導體屏蔽罩設置開口部,所述開口部從所述 第一開孔伸入所述導體殼體并與導體殼體絕緣連接,所述外導體屏蔽罩接 地,所述導線依次穿過所述導體殼體的第二開孔、外導體屏蔽罩及開口部, 并形成一封閉回路,所述導線與所述外導體屏蔽罩、導體殼體絕緣。
7.根據(jù)權利要求6所述的荷電裝置,其特征在于,還包括內(nèi)導體 屏蔽罩,所述內(nèi)導體屏蔽罩設置在導體殼體內(nèi)部,所述內(nèi)導體屏蔽罩的一 端與所述開口部連接,所述內(nèi)導體屏蔽罩的另一端穿過所述導體殼體的第 二開孔,所述導線依次穿過所述內(nèi)導體屏蔽罩、外導體屏蔽罩及開口部, 并形成一封閉回路,所述內(nèi)導體屏蔽罩與所述導體殼體、導線絕緣。
8.根據(jù)權利要求6所述的荷電裝置,其特征在于,所述導線上連 接有電源輸出設備,所述電源輸出設備設置在所述外導體屏蔽罩的外圍。
9.根據(jù)權利要求6所述的荷電裝置,其特征在于,還包括絕緣層 和起電裝置,所述絕緣層包覆于所述導體殼體的外表面,所述起電裝置內(nèi) 置于所述導體殼體并與導體殼體的內(nèi)壁連接。
10.一種荷電發(fā)電方法,其特征在于,應用于權利要求6-9任一所 述的荷電裝置,所述方法包括:
利用一起電設備產(chǎn)生負電荷,所述負電荷分布至所述導體殼體的外表 面產(chǎn)生電場,該電場存在于所述導體殼體外表面與所述外導體屏蔽罩內(nèi)表 面之間,所述導體殼體內(nèi)部無電場,所述外導體屏蔽罩外部無電場,所述 導體殼體內(nèi)部與所述外導體屏蔽罩外部由所述開口部形成的通道連接成 連續(xù)的無電場區(qū)域;
所述導體殼體帶電表面產(chǎn)生的電場驅(qū)動所述導線位于所述導體殼體 外表面和外導體屏蔽罩內(nèi)表面之間的部分中的自由電子,循環(huán)地沿導線向 外導體屏蔽罩外運動,回到所述導體殼體的內(nèi)部,并沿導線依次回到導體 殼體外部及外導體屏蔽罩外部,以形成電流回路。
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