[發(fā)明專利]彎曲不敏感的耐輻照單模光纖

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610209017.7
• 申請(qǐng)日: 2016-04-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105676349B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫琦;黃麗潔;喻煌;劉騁;陳文;余志強(qiáng);王冬香;蔡冰峰;陳黎明;史惠萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢郵電科學(xué)研究院;烽火通信科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/036
• 分類號(hào): G02B6/036
• 代理公司: 北京捷誠(chéng)信通專利事務(wù)所(普通合伙)11221
• 代理人: 王衛(wèi)東

1.一種彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，包括由內(nèi)至外依次排列的芯層(1)、內(nèi)包層、外包層(4)，所述芯層(1)、內(nèi)包層、外包層(4)的材質(zhì)均為石英，其特征在于：所述內(nèi)包層包括由內(nèi)至外排列的第一摻氟內(nèi)包層(2)、第二摻氟內(nèi)包層(3)，所述芯層(1)和第一摻氟內(nèi)包層(2)均不摻雜鍺元素，其他金屬雜質(zhì)以及磷元素濃度均低于0.1ppm；以質(zhì)量百分比計(jì)，芯層(1)中摻雜的氟元素含量為0～0.45％，氯元素含量為0.01％～0.10％；第一摻氟內(nèi)包層(2)中的氟元素濃度為1.00％～1.55％，第二摻氟內(nèi)包層(3)中的氟元素濃度為3.03％～5.00％。

2.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：所述芯層(1)與第一摻氟內(nèi)包層(2)的相對(duì)折射率差的最大值△1_max為0.13％～0.30％；所述第一摻氟內(nèi)包層(2)與第二摻氟內(nèi)包層(3)的相對(duì)折射率差的最大值△2_max為0.40％～0.96％，第二摻氟內(nèi)包層(3)的折射率小于第一摻氟內(nèi)包層(2)的折射率；所述第二摻氟內(nèi)包層(3)與外包層(4)的相對(duì)折射率差的最大值△3_max為-0.28％～-1.09％。

3.如權(quán)利要求2所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：所述芯層(1)與第一摻氟內(nèi)包層(2)的相對(duì)折射率差的最大值△1_max為0.30％；所述第一摻氟內(nèi)包層(2)與第二摻氟內(nèi)包層(3)相對(duì)折射率差的最大值△2_max為0.61％，第二摻氟內(nèi)包層(3)與外包層相對(duì)折射率差最大值的最大值△3_max為-0.91％。

4.如權(quán)利要求3所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：該單模光纖在1310nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)為0.322dB/km，在1550nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)為0.185dB/km，在1625nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)為0.186dB/km。

5.如權(quán)利要求3所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：該單模光纖在10mm彎曲直徑下卷繞一圈時(shí)，在1550nm波長(zhǎng)處的彎曲損耗為0.11dB，在1625nm波長(zhǎng)處的彎曲損耗為0.21dB。

6.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：所述芯層(1)的半徑R1為3.9～4.3μm，所述第一摻氟內(nèi)包層(2)的半徑R2為5～34μm，所述第二摻氟內(nèi)包層(3)的半徑R3為22～48μm。

7.如權(quán)利要求6所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：所述芯層(1)的半徑R1為4μm；第一摻氟內(nèi)包層(2)的半徑R2為30μm，第二摻氟內(nèi)包層(3)的半徑R3為46μm。

8.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：伽馬輻照劑量為2000kGy時(shí)，該單模光纖在1310nm波長(zhǎng)處的輻照附加損耗小于14.8dB/km。

9.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感的耐輻照單模光纖，其特征在于：該單模光纖外包覆有光纖涂覆層，光纖涂覆層采用耐高溫的丙烯酸樹(shù)脂、硅橡膠、聚酰亞胺、碳或金屬中的1～2種制成。