[發明專利]半導體結構的制造方法

有效

• 申請號: 201610208077.7
• 申請日: 2016-04-05
• 公開（公告）號: CN107293490B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底包括襯底以及位于所述襯底上的鰭部；

在所述鰭部之間的襯底上形成隔離結構，其中露出于所述隔離結構的鰭部作為鰭部第一區域，剩余的未露出部分作為鰭部第二區域；

形成橫跨所述鰭部表面的柵極結構，所述柵極結構覆蓋所述鰭部第一區域的頂部和側壁；

以所述柵極結構為掩膜，對所述鰭部第二區域進行緩沖離子摻雜工藝，形成緩沖摻雜離子區；

形成所述緩沖摻雜離子區后，對所述鰭部第一區域進行淺摻雜工藝，形成淺摻雜離子區，且所述淺摻雜離子區的離子類型與所述緩沖摻雜離子區的離子類型相同；

形成所述淺摻雜離子區后，通過重摻雜工藝在所述柵極結構兩側的鰭部內形成源區或漏區，其中所述重摻雜工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述緩沖摻雜離子區的離子類型為N型離子或P型離子，所述淺摻雜離子區的離子類型為N型離子或P型離子。

3.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，緩沖離子摻雜工藝的參數包括：所述緩沖摻雜離子區的離子類型為N型離子，注入的離子包括磷離子，注入的離子能量為8Kev至20Kev，注入的離子劑量為5E12至1E14原子每平方厘米，注入角度為0度至7度；

所述緩沖摻雜離子區的離子類型為P型離子，注入的離子包括硼離子，注入的離子能量為6Kev至16Kev，注入的離子劑量為5E12至1E14原子每平方厘米，注入角度為0度至7度。

4.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述淺摻雜工藝的參數包括：所述淺摻雜離子區的離子類型為N型離子，注入的離子包括磷離子，注入的離子能量為2Kev至10Kev，注入的離子劑量為8E13至1E14原子每平方厘米，注入角度為10度至20度；

所述淺摻雜離子區的離子類型為P型離子，注入的離子包括硼離子，注入的離子能量為2Kev至8Kev，注入的離子劑量為8E13至5E14原子每平方厘米，注入角度為10度至20度。

5.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，對所述鰭部第二區域進行緩沖離子摻雜工藝后，對所述鰭部第一區域進行淺摻雜工藝之前，所述制造方法還包括：對所述半導體基底進行退火工藝，促進所述緩沖摻雜離子橫向擴散進位于所述鰭部第二區域內。

6.如權利要求5所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述退火工藝的工藝參數包括：退火溫度為750攝氏度至1000攝氏度，壓強為一個標準大氣壓，反應氣體為氮氣，氮氣的氣體流量為5每分鐘標準升至40每分鐘標準升。

7.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述襯底包括第一區域和第二區域，位于所述第一區域襯底上的鰭部為第一鰭部，位于所述第二區域襯底上的鰭部為第二鰭部；

露出于所述第一區域隔離結構的第一鰭部為第一鰭部第一區域，剩余的未露出部分作為第一鰭部第二區域；

露出于所述第二區域隔離結構的第二鰭部為第二鰭部第一區域，剩余的未露出部分作為第二鰭部第二區域。

8.如權利要求7所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，對所述鰭部第二區域進行緩沖離子摻雜工藝的步驟包括：對所述第一鰭部第二區域進行第一緩沖離子摻雜工藝，形成第一緩沖摻雜離子區；

對所述第二鰭部第二區域進行第二緩沖離子摻雜工藝，形成第二緩沖摻雜離子區。

9.如權利要求8所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第一緩沖摻雜離子區的離子類型為N型離子或P型離子，所述第二緩沖摻雜離子區的離子類型為N型離子或P型離子。