[發明專利]一種六方纖鋅礦結構銅鋅錫硫納米晶的制備方法有效
| 申請號: | 201610207718.7 | 申請日: | 2016-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN105883904B | 公開(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發明(設計)人: | 許俊;孫怡文;胡正喬 | 申請(專利權)人: | 合肥工業大學 |
| 主分類號: | C01G19/00 | 分類號: | C01G19/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司34101 | 代理人: | 何梅生,盧敏 |
| 地址: | 230009 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 六方纖 鋅礦 結構 銅鋅錫硫 納米 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種六方纖鋅礦結構銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4,英文縮寫為CZTS)納米晶的制備方法,屬于納米材料技術領域。
背景技術
銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4,英文縮寫為CZTS)是一種具有廣泛應用前景的光伏半導體材料,具有直接帶隙(1.5eV)、吸光系數高、成本低廉、環境友好等特點,以CZTS為吸收層的薄膜太陽能電池的光電轉化效率已達到12.6%。目前CZTS的制備多采用真空技術,需要使用昂貴的高真空設備,成本高、投資大。因此,低成本的非真空制備CZTS光伏材料的技術(如溶液法制備)更受人們的青睞。但是現有制備CZTS的溶液法大多使用有機溶劑,產物不易提純,影響電池性能,并增加生產成本。且目前CZTS太陽能電池的研究主要集中在四方鋅黃錫礦的CZTS,而六方纖鋅礦結構CZTS的制備、半導體特性與光伏性能研究罕見報道。
發明內容
本發明是為避免上述現有技術所存在的不足之處,提供一種六方纖鋅礦結構CZTS納米晶的制備方法,旨在解決現有方法所得CZTS納米晶產物多為四方鋅黃錫礦結構的問題,同時也避免在制備過程中使用有機溶劑,造成環境污染與資源浪費。
本發明解決技術問題采用如下技術方案:
本發明六方纖鋅礦結構CZTS納米晶的制備方法,其特點在于按如下步驟進行:
a、將含銅離子0.75mmol的銅源納米顆粒分散在10mL去離子水中,形成銅源納米顆粒分散液A;
b、將5mL濃度為0.075M的錫源水溶液滴加到10mL濃度為0.3M的硫源水溶液中,形成溶液B;
c、將步驟a獲得的銅源納米顆粒分散液A加入步驟b獲得的溶液B中,并加入5mL濃度為0.075M的鋅源水溶液,調節pH值為7-8,攪拌均勻,獲得混合溶液;
d、將所述混合溶液加入反應釜中,在150~190℃條件下反應24h;將反應釜冷卻至室溫后,離心獲得沉淀物,即為目標產物六方纖鋅礦結構CZTS納米晶。
其中:步驟a中所述銅源納米顆粒為Cu2O、CuO或Cu(OH)2的納米顆粒;步驟b中所述硫源為Na2S;步驟b中所述錫源為SnCl4、Sn(NO3)4或Sn(SO4)2;步驟c中所述鋅源為Zn(NO3)2、ZnCl2或ZnSO4。
本發明的制備方法,采用銅源納米顆粒制備六方纖鋅礦結構CZTS納米晶,改變步驟b中硫源的量會影響產物的純度;改變步驟c中的pH值會影響產物的晶相;改變步驟d中的反應時間會影響產物的形貌。
本發明的六方纖鋅礦結構CZTS納米晶可用作新型太陽能電池的吸光層材料。
與已有技術相比,本發明的有益效果體現在:
1、本發明提供了一種六方纖鋅礦結構CZTS納米晶的制備方法,反應條件溫和、無需高溫處理,成本低廉,不需要昂貴的真空設備、不使用有機溶劑,環境友好、易于推廣;且所得產物為六方纖鋅礦結構;
2、本發明在制備過程中通過控制反應時間可獲得不同形貌的產物,通過改變反應溶液的pH值可獲得不同晶相的產物;
3、本發明的制備方法所獲得的產物為納米晶,尺寸小,容易制成薄膜作為太陽能電池吸光層。
附圖說明
圖1為本發明實施例1所制備的CZTS納米晶的高分辨透射電子顯微鏡圖(HRTEM),由圖可以看出,本實施例所得納米晶為5-10nm的不規則顆粒,晶體結構為六方纖鋅礦結構。
圖2為本發明實施例1所制備的CZTS納米晶的X射線衍射圖(XRD),由圖所示,本實施例所得納米晶顆粒為六方纖鋅礦結構。
圖3為本發明實施例1所制備的CZTS納米晶的拉曼光譜圖(Raman Spectrum),可以看出特征峰在328cm-1,表明產物是純相CZTS。
圖4為本發明實施例1所制備的CZTS納米晶的能量散射X射線能譜圖(EDX),可以看出Cu:Zn:Sn:S的比例約為2:1:1:4。
圖5為本發明實施例1所制備的CZTS納米晶旋涂成薄膜之后測得的光電導響應圖,其中虛線為無光條件下的I-V曲線,實線為有光條件下的I-V曲線。
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