[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610207450.7 | 申請日： | 2016-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN105679956A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周凱鋒 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 電致發(fā)光 器件 顯示裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及顯示裝置。
背景技術
有機電致發(fā)光器件，比如有機發(fā)光二極管(OrganicLightEmittingDiode， OLED)以其自身優(yōu)勢如自發(fā)光，響應速度快，廣視角，輕薄，低功耗等受到業(yè) 界的廣泛關注。實現(xiàn)白光有機發(fā)光二極管(WhiteOrganicLightEmittingDiode， WOLED)可作為光源應用于照明領域，通過WOLED加彩色濾光片可實現(xiàn)全彩 顯示應用于顯示領域，具有重要意義。目前WOLED主要通過二元互補色或者 三原色混色而成。二元互補色WOLED主要引入藍光發(fā)光材料層和黃光發(fā)光材 料層堆疊結構，結構和工藝相對簡單。但形成的白光的色純度和顯色性較低且 由于各個界面處的載流子不能夠有效分離，從而導致在藍光發(fā)光材料層和黃光 發(fā)光材料層內載流子注入和復合不平衡，造成WOLED器件電流效率較低，且 驅動電壓較高，從而導致功耗效率較低，功耗較高。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件包括：基板及 依次層疊設置且設置在所述基板同側的第一電極、第一類型載流子傳輸及注入 層、第一發(fā)光層、異質結、第二發(fā)光層、第二類型載流子傳輸及注入層及第二 電極，所述第一電極用于加載第一極性電壓并提供第一類型載流子，所述第一 類型載流子傳輸及注入層用于將所述第一類型載流子傳輸至所述第一發(fā)光層， 所述第二電極用于加載第二極性電壓并提供第二類型載流子，所述第二極性電 壓和所述第一極性電壓形成第一電場，所述第二類型載流子傳輸及注入層用于 將所述第二類型載流子傳輸至所述第二發(fā)光層，所述異質結內形成第二電場， 所述第二電場的方向和所述第一電場的方向相反，所述異質結用于產(chǎn)生激子， 所述激子在所述第一電場的作用下分離成第一類型載流子和第二類型載流子， 所述第一電極產(chǎn)生的第一類型載流子與所述異質結產(chǎn)生的第二類型載流子在所 述第一發(fā)光層中復合以產(chǎn)生第一光線，所述第二電極產(chǎn)生的第二類型載流子與 所述異質結產(chǎn)生的第一類型載流子在所述第二發(fā)光層中復合以產(chǎn)生第二光線， 所述第一光線與所述第二光線混光成白光并從所述基板遠離所述第一電極的方 向出射。
其中，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述第一類型載流子 傳輸及注入層為空穴傳輸及注入層，所述第二類型載流子傳輸及注入層為電子 傳輸及注入層，所述第一類型載流子為空穴，所述第二類型載流子為電子。
其中，所述第一類型載流子傳輸及注入層包括P型摻雜半導體材料，所述 第二類型載流子傳輸及注入層包括N型摻雜半導體材料。
其中，所述異質結包括層疊設置的N型半導體材料層及P型半導體材料層， 所述N型半導體材料層的一面設置在所述第一發(fā)光層遠離所述第一類型載流子 傳輸及注入層的一面，所述P型半導體材料層遠離所述N型半導體材料層的一 面設置在所述第二發(fā)光層遠離所述第二類型載流子傳輸及注入層的一面。
其中，所述第一發(fā)光層為藍光發(fā)光層，所述第一光線為藍光，所述第二發(fā) 光層為黃光發(fā)光層，所述第二光線為黃光。
其中，第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，所述第一類型載流子傳輸 及注入層為電子傳輸及注入層，所述第二類型載流子傳輸及注入層為空穴傳輸 及注入層，所述第一類型載流子為電子，所述第二類型載流子為空穴。
其中，所述第一類型載流子傳輸及注入層包括N型摻雜半導體材料，所述 第二類型載流子傳輸及注入層包括P型摻雜半導體材料。
其中，所述異質結包括層疊設置的N型半導體材料層及P型半導體材料層， 所述P型半導體材料層的一面設置在所述第一發(fā)光層遠離所述第一類型載流子 傳輸及注入層的一面，所述N型半導體材料層遠離所述P型半導體材料層的一 面設置在所述第二發(fā)光層遠離所述第二類型載流子傳輸及注入層的一面。
其中，所述第一電極為透明電極，所述第二電極為金屬電極。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括前述任意一實施方式所 述的有機電致發(fā)光器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
