[發(fā)明專利]一種集成保護臺面晶閘管及其制作方法

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• 申請日: 2016-04-05
• 公開（公告）號: CN105679818A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設計）人: 何春海
• 申請（專利權）人: 江蘇東晨電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L21/332
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 徐冬濤;劉暢

1.一種集成保護臺面晶閘管的制作方法，其特征在于它在玻璃鈍化層(4)上面形成一定厚度 的PI膠鈍化層(1)，該PI膠鈍化層(1)在高純氮氣保護下，以280～320℃溫度，經過100～150 分鐘加熱，使PI膠鈍化層(1)亞胺化并和玻璃鈍化層(4)融合，形成集成保護層。

2.根據權利要求1所述的一種集成保護臺面晶閘管的制作方法，其特征在于具體步驟為：

一、芯片熱生長形成氧化層，用光刻技術對氧化層進行第一次光刻腐蝕，稱為穿通光 刻，擴散形成穿通區(qū)(9)；

二、在穿通區(qū)(9)的基礎上，用擴散技術進行芯片正背面雙面硼基區(qū)擴散，形成基區(qū) (3)和陽極(7)；

三、在基區(qū)(3)的基礎上，采用光刻技術對氧化層進行第二次光刻腐蝕，稱為開二次 陰極區(qū)，形成陰極區(qū)(2)；

四、用光刻技術對氧化層進行第三次光刻腐蝕，稱為開臺面槽，通過臺面腐蝕的方法， 形成一定深度的臺面槽，通過玻璃鈍化填充，形成玻璃鈍化層(4)；

五、用光刻技術對氧化層進行第四次光刻腐蝕，稱為開引線孔，所述引線孔分別對準 陰極區(qū)(2)、門極(6)和陽極(7)；

六、用蒸發(fā)臺蒸額定厚度的鋁膜，形成鋁電極；

七、用常規(guī)光刻的方法將不需要鋁覆蓋處的鋁去除掉，保留電極孔處的鋁電極；

八、在鋁電極的基礎上，在鋁電極表面覆蓋PI膠，采用光刻技術對表面的PI膠進行光 刻腐蝕形成PI膠鈍化層(1)；

九、在玻璃鈍化層(4)上面形成一定厚度的PI膠鈍化層(1)，該PI膠鈍化層(1)在 高純氮氣保護下，以280～320℃溫度，經過100～150分鐘加熱，使PI膠鈍化層(1)亞胺化 并和玻璃鈍化層(4)融合，形成集成保護層。

3.根據權利要求2所述的一種集成保護臺面晶閘管的制作方法，其特征在于步驟四中，形成 一定深度的臺面槽，深為50～80微米。

4.根據權利要求1或2所述的一種集成保護臺面晶閘管的制作方法，其特征在于在玻璃鈍化 層(4)上面形成一定厚度的PI膠鈍化層(1)，厚度為3～10微米。

5.根據權利要求1或2所述的一種集成保護臺面晶閘管的制作方法，其特征在于在玻璃鈍化 層(4)上面形成一定厚度的PI膠鈍化層(1)，該PI膠鈍化層(1)在高純氮氣保護下，以 300℃溫度，經過120分鐘加熱，使PI膠鈍化層(1)亞胺化并和玻璃鈍化層(4)融合， 形成集成保護層。

6.一種集成保護臺面晶閘管，其特征在于其玻璃鈍化層(4)表面覆蓋有PI膠鈍化層(1)， 玻璃鈍化層(4)和PI膠鈍化層(1)形成集合保護層。

7.根據權利要求6所述的一種集成保護臺面晶閘管，其特征在于它包括芯片，在該芯片上有 陰極區(qū)(2)、基區(qū)(3)、玻璃鈍化層(4)、陰極(5)、門極(6)、陽極(7)、長基區(qū)(8) 和穿通區(qū)(9)，在該芯片依次形成有基區(qū)(3)，基區(qū)(3)其上形成有陰極區(qū)(2)，陰極區(qū) (2)兩端形成臺面槽及玻璃鈍化層(4)，玻璃鈍化層(4)表面覆蓋有PI膠鈍化層(1)， 玻璃鈍化層(4)和PI膠鈍化層(1)形成集合保護層；陰極區(qū)(2)、基區(qū)(3)和陽極(7) 上形成有引線孔，所述引線孔分別對準陰極區(qū)(2)、門極(6)和陽極(7)，該引線孔中填 充有鋁電極，鋁電極其上形成PI膠鈍化層(1)。

8.根據權利要求7所述的一種集成保護臺面晶閘管，其特征在于所述臺面槽深50～80微米。

9.根據權利要求6或7所述的一種集成保護臺面晶閘管，其特征在于所述玻璃鈍化層(4)表 面覆蓋有PI膠鈍化層(1)，該PI膠鈍化層(1)的厚度為3～10微米。