[發(fā)明專利]一種高介電常數(shù)的納米介質(zhì)陶瓷及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610206761.1
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號(hào): CN105777108B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬才兵;殷旺;呂開明
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東國華新材料科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/46
• 分類號(hào): C04B35/46;C04B35/622
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 楊燕瑞;謝靜娜

1.一種高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的納米介質(zhì)陶瓷，其特征在于由包括摩爾比為90:10～100:0的二氧化鈦和α-三氧化二鋁，以及相對于氧化鈦和α-三氧化二鋁總質(zhì)量的0.1～5％的助燒劑的組分組成；

所述的助燒劑為二氧化硅、氟化鋰和氧化鎂的混合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的納米介質(zhì)陶瓷，其特征在于由包括摩爾比為90:10～100:0的二氧化鈦和α-三氧化二鋁，以及相對于氧化鈦和α-三氧化二鋁總質(zhì)量的1％的助燒劑的組分組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的納米介質(zhì)陶瓷，其特征在于：所述的二氧化鈦和α-三氧化二鋁使用前在1000℃熱處理60min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的納米介質(zhì)陶瓷，其特征在于：所述的助燒劑為物質(zhì)的量比為4:2:1的二氧化硅、氟化鋰和氧化鎂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的納米介質(zhì)陶瓷，其特征在于：所述的助燒劑使用前經(jīng)熱預(yù)處理，包括以下步驟：將助燒劑研磨成粉，675℃～725℃下高溫?zé)崽幚?0～90min，得到熱預(yù)處理后的助燒劑。

6.一種根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的納米介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)將按質(zhì)量比90:10～100:0的二氧化鈦和α-三氧化二鋁混合，研磨后高溫煅燒；

(2)往步驟(1)煅燒后粉體中加入體系總質(zhì)量的0.1～5％的助燒劑，球磨，再加入粘結(jié)劑，造粒，制模，高溫?zé)Y(jié)，得到納米介質(zhì)陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述的高溫煅燒指在1150～1250℃下煅燒6～8h；步驟(2)中所述的高溫?zé)Y(jié)為在1270～1400℃下燒結(jié)10～20h。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述的粘結(jié)劑為聚乙烯醇、石蠟或者其他具有相同功能的粘結(jié)劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所用粘結(jié)劑的量為體系總質(zhì)量的1.0～2.0％。