[發明專利]用于GaN裝置的基于導電性的選擇性蝕刻和其應用有效
| 申請號： | 201610206389.4 | 申請日： | 2011-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN105821435B | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 榮格·韓;孫乾;張宇 | 申請（專利權）人： | 耶魯大學 |
| 主分類號： | C25B1/00 | 分類號： | C25B1/00;C25F3/12;C30B29/40;C30B33/10;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3063;H01L33/00;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 美國康*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 gan 裝置 基于 導電性 選擇性 蝕刻 應用 | ||
【說明書】：
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