[發明專利]鰭式場效應晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201610206325.4
• 申請日: 2016-04-05
• 公開（公告）號: CN107293487B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 王冬江
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/324
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成具有開口的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜，沿所述開口對半導體襯底進行離子注入，在所述開口底部的半導體襯底中形成離子區；

進行退火處理，使所述離子區向兩側擴散，部分離子區被掩膜層覆蓋，形成由所述掩膜層覆蓋的鰭部離子區；

退火處理后，繼續以所述掩膜層為掩膜，去除所述開口底部部分半導體襯底，形成鰭部；

形成鰭部后，去除所述掩膜層。

2.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述離子注入的離子能量為1KeV～500KeV，離子劑量為1E12atom/cm²～1E16atom/cm²，離子注入角度為0度～45度。

3.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述離子注入的深度為300埃～10000埃。

4.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，當所述鰭式場效應晶體管的類型為N型時，所述離子注入的離子為N型離子或P型離子。

5.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，當所述鰭式場效應晶體管的類型為P型時，所述離子注入的離子為N型離子或P型離子。

6.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述退火處理為激光退火、快速熱退火或尖峰退火。

7.根據權利要求6所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述退火處理采用的氣體為N₂，溫度為750攝氏度～1300攝氏度。

8.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述開口底部的部分半導體襯底的工藝為各向異性干刻工藝。

9.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述掩膜層的側壁形成側墻；以所述掩膜層為掩膜的同時以所述側墻為掩膜，沿所述開口對半導體襯底進行離子注入，在所述開口底部的半導體襯底中形成離子區；在去除所述開口底部的部分半導體襯底之前，去除所述側墻。

10.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，進行所述退火處理之后，在去除所述開口底部的部分半導體襯底之前，還包括：去除部分寬度的掩膜層。