[發明專利]一種LTPS陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201610206147.5
• 申請日: 2016-04-05
• 公開（公告）號: CN105742240B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 陳玉霞;賀超
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種LTPS陣列基板的制造方法，所述LTPS陣列基板至少包括金屬遮擋層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層和柵極層，其特征在于，所述制造方法是將金屬遮擋層作為柵極層的光罩用以圖案化形成所述柵極層，且所獲得的柵極層的寬度小于所述金屬遮擋層的寬度，并且所述柵極層的垂直投影完全落入所述金屬遮擋層范圍內；并且，所述金屬遮擋層的各圖形之間串聯。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括：

步驟S10、提供一透明基板，在所述透明基板上沉積一金屬層，圖案化所述金屬層，獲得所述金屬遮擋層；

步驟S20、在所述金屬遮擋層上形成所述緩沖層；

步驟S30、在所述緩沖層上形成所述有源層；

步驟S40、在所述有源層上形成所述柵極絕緣層；以及，

步驟S50、在所述柵極絕緣層上沉積一柵極金屬層，以所述金屬遮擋層作為光罩，經兩次背面曝光后形成所述柵極層。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S50包括：

步驟S501、在所述柵極金屬層上涂布一光阻層，以所述金屬遮擋層作為光罩對所述光阻層進行兩次背面曝光，形成圖案化光阻層以及，

步驟S502、顯影后進行干蝕刻制程以刻蝕出柵極圖案形成所述柵極層。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S501中，以入射角相等且關于法線對稱的光線對所述光阻層進行兩次背面曝光。

5.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S30包括：

步驟S301、在所述緩沖層上沉積非晶硅，經準分子激光退火后形成多晶硅層，再進行光刻制程進行圖案化獲得所述有源層；

步驟S302、對所述有源層進行摻雜，使所述有源層具有溝道區、源極接觸區及漏極接觸區。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S501中形成的所述圖案化光阻層的光阻的寬度小于所述溝道區的寬度。

7.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少還包括：

步驟60、通過離子植入對所述有源層進行LDD輕摻雜。

8.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述源極接觸區及所述漏極接觸區均為P型摻雜區，或者，所述源極接觸區及所述漏極接觸區均為N型摻雜區。

9.如權利要求1至7中任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述金屬遮擋層選自金屬鉬；所述緩沖層選自SiNx或SiOx；所述柵極絕緣層選自SiNx或SiO₂。

10.如權利要求1至7中任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述柵極層選自透明柵極金屬層或金屬氧化物柵極層。