[發明專利]一種復合型場發射陰極發射源及其制備方法在審
| 申請號: | 201610203113.0 | 申請日: | 2016-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN105742139A | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 劉啟發;張洋;丁夢雪 | 申請(專利權)人: | 南京郵電大學 |
| 主分類號: | H01J1/304 | 分類號: | H01J1/304;H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司: | 江蘇愛信律師事務所 32241 | 代理人: | 唐小紅 |
| 地址: | 210023 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合型 發射 陰極 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種場發射陰極及制備方法,特別涉及一種微納結構的復合型場發射陰極,屬于真空電子器件及微納米加工制備和應用技術領域。
背景技術
真空電子系統的最基本部分是電子源。實際的例子很多,例如陰極射線管、顯示器、微波放大器以及掃描電子顯微鏡等。人們已經開發出了多種使電子從物質中發射出來的技術,例如熱電子發射、場致電子發射、光電子發射以及自釋電子發射等(Modinors.A,Field,therminonic,andsecondaryelectronemissionspectroscopy.1984,NewYork.)。
在熱電子發射過程中,電子源需要被加熱到很高的溫度(約1000攝氏度),以使自由電子具有足夠的能量來克服表面勢壘的束縛,從表面發射出去。熱電子發射是一種簡單并且得到實踐證實的技術。然而,由于其高溫工作環境,具有熱電子源的電子器件因為需要額外構造加熱和散熱結構,體積一般比較大。另外,高溫工作過程中,其輻射能量損失也比較大,所以它的電子發射效率并不高。其它缺點還包括:發射器的鈍化、熱膨脹引起的尺寸變化和由于釋放氣體導致的真空退化等缺點。
場致發射是與熱電子發射完全不同的電子發射技術,場致發射不需要在高溫環境中進行,室溫環境下就可以。因此,與熱電子源相比,采用場致發射源的電子器件能夠做得更小和更輕便。與所有電子發射方式相比,場致發射是唯一一種電子不需要額外獲取能量就能進行發射的技術。場致發射能夠產生極高的電流密度(在場致發射區可達到107A/cm2,并且場致發射電子的能量擴散比較小。當用形狀尖銳的陰極進行場致發射時,產生(場致發射)電流所需要的宏觀電場降只需幾伏每微米就已經足夠了。因此在眾多產生電子的方法中,場致發射被認為是最好的選擇之一。
最早出現的是微納尖錐場發射結構,用微機械加工微型針尖的形式發展了非常尖銳的場致發射微結構,這種金屬微納尖錐場發射方法經過多年的研究,技術上相對比較成熟。但這種結構的開啟電壓較大,一般在10V/μm以上。
碳納米管(CNT)由于其良好的導電、機械及半導體性能,成為場致發射研究的熱點(MSJung,HYJung,JSSuh.Horizontallyalignedcarbonnanotubefieldemittershavingalongtermstability.Carbon.2007.45(15).2917-2921;LZhu,YSun,DWHess,etal.Well-alignedopen-endedcarbonnanotubearchitectures:anapproachfordeviceassembly.NanoLetter.2006.6(2).243-247;CKlinke,EDelvigne,JVBarth,etal.Enhancedfieldemissionfrommultiwallcarbonnanotubefilmsbysecondarygrowth.JournalofphysicalchemistryB.2005.109(46).21677-21680)。其具有相對較低的開啟電壓,可以達到1V/μm左右,根據陰極制作方法的不同而不同。傳統的CNT場發射陰極制備方法有直接生長法和絲網印刷法,前者CNT方向性好,密度高,引入雜質少;后者適合于規?;a,工藝簡單效率高,密度高。除此之外,復合電鍍或復合化學鍍的方法也是近些年來發展起來的CNT場發射陰極制備方法(MinDeng,GuifuDing,YanWang,etal.FabricationofNi-matrixcarbonnanotubefieldemittersusingcompositeelectroplatingandmicromachining.Carbon.2009.47.3466-3471;Yih-MingLiu,YuhSung,Yann-ChengChen,etal.AmethodtofabricatefieldemittersusingelectrolesscodepositedcompositeofMWNTsandNickel.Electrochemicalandsolid-stateletters.2007.10(9).J101-J104;LYWang,JPTu,WXChen,etal.FrictionandwearbehaviorofelectrolessNi-basedCNTcompositecoatings.Wear.2003.254.1289-1293),此類方法可以使CNT和金屬電極直接結合甚至嵌入其中,具有很好的結合力和更低的開啟電壓。另外電泳法可以通過控制CNT的分散性、密度、排列方向等制備出具有較高發射電流密度的CNT陰極(StephenLQuale,JanBTalbot.Electrophoreticdepositionofsubstrate-normal-orientedsingle-walledcarbonnanotubestructures.Journaloftheelectrochemicalsociety.2007.154(8).K25-K28;Sung-KyoungKim,HaiwonLee,HirofumiTanaka,etal.Verticalalignmentofsingle-walledcarbonnanotubefilmsformedbyelectrophoreticdeposition.Langmuir.2008.24.12936-12942;HitoshiOgihara,MasaruFukasawa,TetsuoSaji.Fabricationofpatternedcarbonnanotubethinfilmsusingelectrophoreticdepositionandultrasonicradiation.Carbon.2011.49.4595-4607;RuiPeng.Designandcharacterizationofamulti-beammicro-CTscannerbasedoncarbonnanotubefieldemissionX-raytechnology.DissertationsubmittedtotheUniversityofNorthCarolina.2010)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京郵電大學,未經南京郵電大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610203113.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:載置臺和等離子體處理裝置
- 下一篇:斷路器的二次回路連接組件和抽屜式斷路器





