[發(fā)明專利]TFT基板的制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610202940.8
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105655359A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設計）人: 胡俊艷
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平 面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的 應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等 各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯 示面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平 行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細 小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出 來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶體管(TFT， ThinFilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC， LiquidCrystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣 列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT 基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中， 前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell 制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū) 動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。

非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(a-IGZOTFT)由于電子遷移率高、漏電 流低、制備溫度低等特點，引起了廣泛的關注。傳統(tǒng)的底柵結(jié)構(gòu)的氧化物半 導體晶體管，由于柵極與源漏電極之間重疊面積較大，產(chǎn)生了較大的寄生電 容，會導致信號的延遲，且其制作出來的晶體管尺寸較大，因而限制了其應 用。頂柵自對準結(jié)構(gòu)由于源漏電極之間與柵極之間沒有重疊，因此具有更低 的寄生電容和更好的延展性。

如圖1-7所示，為現(xiàn)有的頂柵自對準氧化物半導體薄膜晶體管基板的制備 方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖1所示，提供一基板100，在所述基板100上沉積緩沖層200；

步驟2、如圖2-3所示，在所述緩沖層200上沉積半導體層300，采用一道 光罩對半導體層300進行圖形化處理，得到有源層350；

步驟3、如圖4所示，在所述有源層350、及緩沖層200上依次沉積絕緣層 400、及柵極金屬層500，在所述柵極金屬層500上涂覆一層光阻材料，采用一 道光罩對該層光阻材料進行圖形化處理，得到對應于有源層350的中間區(qū)域的 光阻層600；

步驟4、如圖5所示，以所述光阻層600為阻擋層，對所述柵極金屬層500 與絕緣層400進行蝕刻，形成柵極550與柵極絕緣層450；以所述光阻層600、柵 極550、及柵極絕緣層450為阻擋層，對所述有源層350進行處理，形成源極接 觸區(qū)310、漏極接觸區(qū)320、以及位于所述源極接觸區(qū)310與漏極接觸區(qū)320之間 的溝道區(qū)330；

步驟5、如圖6所示，在所述柵極550、有源層350、及緩沖層200上沉積層 間介電層700，采用一道光罩對該層間介電層700進行圖形化處理，在所述層間 介電層700上形成分別對應于所述源極接觸區(qū)310與漏極接觸區(qū)320的第一通孔 710與第二通孔720；

步驟6、如圖7所示，在所述層間介電層700上沉積源漏極金屬層，采用一 道光罩對該層源漏極金屬層進行圖形化處理，形成源極810與漏極820，所述源 極810和漏極820分別通過第一通孔710和第二通孔720與所述有源層350的源極 接觸區(qū)310和漏極接觸區(qū)320相接觸，從而制得一頂柵自對準氧化物半導體薄膜 晶體管基板。

上述頂柵自對準氧化物半導體薄膜晶體管基板的制備方法需要采用4道 光罩(mask)，制程時間長，制程復雜，且生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，可節(jié)約光罩數(shù)量，工藝 簡單，且制造成本低。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板，在所述基板上依次沉積緩沖層、半導體層、絕緣層、 及柵極金屬層；