[發明專利]一種等離子體增強化學氣相沉積設備及制膜方法

在審

• 申請號: 201610202910.7
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105714274A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 向勇;傅紹英;孫赫;閆宗楷
• 申請（專利權）人: 成都西沃克真空科技有限公司
• 主分類號: C23C16/509
• 分類號: C23C16/509;C23C16/26;C23C16/46;C23C16/52
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 詹守琴

1.一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，包括：

反應腔體，內部設置有上極板和下級板；所述上極板和所述下級板對應設 置；

所述下級板包括沉積板和槽型機構，所述沉積板蓋設于所述槽型機構的槽 型開口上，形成一容置空間，其中，所述槽型機構的外表面覆蓋有由絕緣材料 形成的絕緣壁。

2.如權利要求1所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，

所述容置空間內設置有水冷槽，用于通入冷卻液對所述沉積板進行降溫。

3.如權利要求1或2所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征 在于，

所述容置空間內設置有加熱電阻，用于提升所述沉積板的溫度。

4.如權利要求3所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于， 所述容置空間內設置有溫度檢測計，用于實時監測所述容置空間的溫度。

5.如權利要求1所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于， 所述沉積板上設置有樣品臺，用于放置基片。

6.如權利要求1所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于， 所述反應腔體的腔壁上開設有反應氣體入口。

7.如權利要求1所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于， 所述反應腔體的腔壁上開設有抽氣口，所述抽氣口和抽真空裝置連接，用于使 所述反應腔體中達到真空狀態。

8.如權利要求1所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于， 所述絕緣壁采用聚四氟乙烯或者聚全氟乙丙烯制備。

9.如權利要求1或8所述的一種等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征 在于，所述絕緣壁厚度為10-30mm。

10.一種制膜方法，所述方法應用于如權利要求1-9任一權項所述的一種等 離子體增強化學氣相沉積設備中，其特征在于，所述方法包括：

調節所述反應腔體內的溫度調節為0℃～800℃；

對所述反應腔體抽真空處理后，充入混合氣體；

將所述反應腔體的工作氣壓調為0.1Pa～10Pa，然后施加電壓，使施加功率 范圍處于50W～800W，產生等離子體，以制備薄膜。