[發明專利]頁緩沖器和包括頁緩沖器的半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201610202633.X
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN106611610B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 李映勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C16/24
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;毋二省

一種半導體存儲器件，可以包括：存儲單元陣列和多個頁緩沖器，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述多個頁緩沖器分別與存儲單元陣列的多個位線耦接，所述頁緩沖器被供應內部電壓以對多個位線預充電、或者以在感測操作期間感測流經多個位線的電流量，其中，每個頁緩沖器將內部電壓轉換成具有恒定電勢電平的電源電壓。

相關申請的交叉引用

本申請要求2015年10月27日提交的申請號為10-2015-0149473的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的各種實施例涉及電子器件，并且更具體而言，涉及一種頁緩沖器和包括所述頁緩沖器的存儲器件。

背景技術

半導體存儲器件通常被分成易失性和非易失性存儲器件。

非易失性存儲器件具有相對低的寫入和讀取速度，但是即使它們的電源被關斷或者中斷也能保持儲存的數據。非易失性存儲器件的示例包括：只讀存儲器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、快閃存儲器、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、以及鐵電RAM(FRAM)器件等。快閃存儲器可以被分成或非(NOR)型和與非(NAND)型。

快閃存儲器具有如下的優點，任意地編程和擦除數據(即，RAM的優點)，并且即使電源可能被關斷或中斷時也能保持儲存的數據(即，ROM的優點)。快閃存儲器廣泛地用作便攜式電子設備(例如，數碼照相機、個人數字助理(PDA)以及MP3播放器)的儲存介質。

發明內容

本發明的各種實施例涉及一種頁緩沖器和包括所述頁緩沖器的半導體存儲器件。所述頁緩沖器在半導體存儲器件的操作期間提供了改善的、更穩定的操作。

本發明的一個實施例提供了一種半導體存儲器件，其包括：存儲單元陣列和多個頁緩沖器，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元，所述多個頁緩沖器分別與存儲單元陣列的多個位線耦接，所述頁緩沖器被供應內部電壓以對多個位線預充電或者以在感測操作期間感測流經多個位線的電流量，其中，每個頁緩沖器將內部電壓轉換成具有恒定電勢電平的電源電壓。

本發明的另一個實施例提供了一種頁緩沖器，其包括：位線耦接單元，所述位線耦接單元耦接在位線與控制節點之間，所述位線可以與多個存儲單元耦接，并且所述位線耦接單元適用于響應于位線耦接信號而將位線與控制節點電耦接；箝位電路，被供應第一內部電壓以對位線和感測節點預充電，并且適用于根據位線的電流量來調節感測節點的電勢電平；電流確定電路，被供應第二內部電壓，并且適用于響應于箝位電路中感測節點的電勢電平而調節輸出電流量；以及鎖存電路，適用于儲存與由電流確定電路所調節的電流量相對應的數據，其中，所述電流確定電路可以通過將第二內部電壓調節至恒定的電勢電平而產生電源電壓。

本發明的另一個實施例提供了一種頁緩沖器，其包括：位線耦接單元，所述位線耦接單元耦接在位線與控制節點之間，所述位線可以與多個存儲單元耦接，并且所述位線耦接單元適用于響應于位線耦接信號而將位線與控制節點電耦接；箝位電路，被供應內部電壓以對位線和感測節點預充電，并且適用于根據位線的電流量來調節感測節點的電勢電平；電流確定電路，適用于響應于在箝位電路中的感測節點的電勢電平而調節輸出電流量；以及鎖存電路，適用于儲存與由電流確定電路所調節的電流量相對應的數據，其中，所述箝位電路可以通過將內部電壓調節至恒定的電勢電平而產生電源電壓。

附圖說明

在下文中，將參照附圖來更全面地描述示例性實施例。然而，應當注意的是，本發明可以采用不同形式來實施，并且不應當解釋為局限于本文所列的實施例。確切地說，提供這些實施例使得本發明對于本領域的技術人員充分且完整。