[發明專利]一種頁巖氣地質甜度與工程甜度計算方法有效
| 申請號: | 201610202327.6 | 申請日: | 2016-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN107288626B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 蔣廷學;卞曉冰;路保平;蘇瑗;賈長貴;王海濤;李雙明;衛然 | 申請(專利權)人: | 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油工程技術研究院 |
| 主分類號: | E21B49/00 | 分類號: | E21B49/00;E21B43/267 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人: | 張文娟;朱繪 |
| 地址: | 100728 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 頁巖 地質 工程 計算方法 | ||
本發明公開了一種頁巖氣地質甜度與工程甜度的計算方法。該方法選取具有獨立性的評價參數,以壓后累產量為依據,采用灰色關聯度方法計算各參數的權重分配,應用歐式貼進度的計算方法表征頁巖“甜度”。本發明成功解決了頁巖油氣藏中的井進行壓裂施工段簇劃分針對性不強、有效出氣段簇比例不高的難題,為水平井分段壓裂段、簇位置優選提供了有力依據,從而最大限度地實現“降本增效”的目標。
技術領域
本發明涉及石油開采技術領域,尤其涉及一種頁巖氣地質甜度與工程甜度計算方法。
背景技術
目前,關于頁巖地質甜點與工程甜點的評價方法有很多種。地質甜點的評價參數主要包括有機碳含量(TOC)、熱成熟度(RO)、含氣量、孔隙度、天然裂縫特性參數及孔隙壓力等;工程甜點的評價參數主要包括巖石礦物組分及巖石力學參數等。但是目前已知的評價方法主要存在以下問題:
1)參與地質甜點及工程甜點計算的評價參數的獨立性有待商榷。這是因為把有關聯性的參數都放進模型中往往會使計算結果出現偏差。例如,有機碳含量TOC與含氣量有一定的相關性,有機碳含量高只能表明頁巖儲層具有高含氣量的物質基礎,但不代表含氣量一定高,其還取決于熱演化程度RO的高低。因此通常選擇含氣量作為表征頁巖含氣性的評價參數。
2)甜點的程度沒有進一步界定,甜點值的大小與壓后產量的相關性不強。為了進一步表征頁巖甜點的好壞程度,引入“甜度”的概念來表征甜點的程度大小,并將甜度與壓后產量相關聯(注:甜度是一個相對值,例如通常以蔗糖作為基準物,一般以10%或15%的蔗糖水溶液在20℃時的甜度為1.0,其他糖的甜度則與之相比較得到)。
3)地質甜點與工程甜點的權重計算方法有待改進。以往大多采用對等的權重分配來計算總的甜點指標,而沒有從壓后產量的關聯性來尋求地質甜點與工程甜點的權重分配。
綜上所述,有必要改進現有地質甜點及工程甜點的評價指標及計算方法,以增加水平井分段壓裂段、簇位置選擇的科學性和針對性,更好地實現頁巖氣開發的“降本增效”目標。
發明內容
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種新的適用于頁巖油氣藏的地質甜度與工程甜度計算方法,以增加水平井分段壓裂段、簇位置選擇的科學性和針對性,更好地實現頁巖氣開發的“降本增效”目標。
一種頁巖氣地質甜度與工程甜度計算方法,包括以下步驟:
S110,分析頁巖地層的各項地質參數之間的相關性,從中選出彼此獨立的地質參數作為評價參數;
S120,將各項評價參數的最佳值作為理想地質條件,計算目標井層實際地質參數與理想地質條件的歐式貼近度作為地質甜度指標;
S130,計算近井工程甜點和遠井工程甜點,從中確定最大的近井工程甜點和最大的遠井工程甜點;
S140,將最大的近井工程甜點和最大的遠井工程甜點作為理想井層工程甜點,計算目標井層工程甜點與理想井層工程甜點的歐式貼近度作為工程甜度指標;
S150,以壓后累積產量為依據,對地質甜度指標和工程甜度指標分配權重系數,進而獲得綜合甜度指標;
S160,根據現場頁巖氣勘探結果修正步驟S150中的權重系數,進而修正綜合甜度指標。
根據本發明的實施例,上述步驟S110中,評價參數主要包括總孔隙度、有機質孔隙度、基質滲透率、頁巖厚度、天然裂縫發育程度、總含氣量、游離氣比例、壓力系數、熱演化程度、脆性礦物含量、楊氏模量、泊松比。
根據本發明的實施例,上述歐式貼近度的計算方法如下:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油工程技術研究院,未經中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油工程技術研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610202327.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





