[發明專利]光調變器

在審

• 申請號: 201610201820.6
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN107290873A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 莊朝炫;謝建成
• 申請（專利權）人: 源杰科技股份有限公司
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種光調變器，其特征在于，包含：

一基材，具有一主要表面以及垂直該主要表面的一第一方向；

一第一半導體結構，具有第一導電類型，且位于該主要表面上；

一第二半導體結構，具有第二導電類型，且位于該主要表面上，其中該第一半導體結構與該第二半導體結構在該第一方向上不重疊；以及

一介電結構，位于該主要表面上，并從該主要表面沿該第一方向向上延伸，且該介電結構夾置在該第一半導體結構以及該第二半導體結構之間；

其中該第一半導體結構、該第二半導體結構、以及該介電結構形成一光波導結構，提供一近似橢圓或圓形的光通道。

2.如權利要求1所述的光調變器，其特征在于，該第一半導體結構及該第二半導體結構分別具有一第一頂面以及一第二頂面，且該介電結構不覆蓋該第一頂面和該第二頂面。

3.如權利要求2所述的光調變器，其特征在于，該第一半導體結構的該第一頂面在相同的一第一高度橫向延伸至接觸該介電結構。

4.如權利要求3所述的光調變器，其特征在于，該第二半導體結構的該第二頂面在相同的一第二高度橫向延伸至接觸該介電結構。

5.如權利要求4所述的光調變器，其特征在于，該第一高度與該第二高度相同。

6.如權利要求1所述的光調變器，其特征在于，該介電結構隔離該第一半導體結構與該第二半導體結構，使該第一半導體結構與該第二半導體結構不直接接觸。

7.如權利要求1所述的光調變器，其特征在于，該介電結構具有一高度 及一寬度，且該高度大于該寬度。

8.如權利要求7所述的光調變器，其特征在于，該介電結構的該高度等于該第一半導體結構的一厚度及該第二半導體結構的一厚度。

9.如權利要求7所述的光調變器，其特征在于，該高度對該寬度的比值為10至500。

10.如權利要求1所述的光調變器，其特征在于，該第一半導體結構以及該第二半導體結構分別具有一第一寬度及一第二寬度，且該第一寬度等于該第二寬度。

11.如權利要求1所述的光調變器，其特征在于，該第一半導體結構包含一第一摻雜部分以及一第二摻雜部分，該第一摻雜部分接觸該介電結構，且位于該介電結構與該第二摻雜部分之間，其中該第一摻雜部分的一摻雜濃度小于該第二摻雜部分的一摻雜濃度。

12.如權利要求11所述的光調變器，其特征在于，該第一摻雜部分的一高度大于該第二摻雜部分的一高度。

13.如權利要求11所述的光調變器，其特征在于，該第一摻雜部分包含一豎立部以及一延伸部，該豎立部接觸該介電結構，該延伸部由該豎立部橫向延伸至該第二摻雜部分，且該豎立部的一高度大于該延伸部的一高度。

14.如權利要求13所述的光調變器，其特征在于，該豎立部的該高度等于該介電結構的一高度，且該延伸部的該高度等于該第二摻雜部分的一高度。

15.如權利要求11所述的光調變器，其特征在于，該第二半導體結構包含一第四摻雜部分以及一第五摻雜部分，該第四摻雜部分接觸該介電結構，且位于該介電結構與該第五摻雜部分之間，其中該第四摻雜部分的一摻雜濃度小 于該第五摻雜部分的一摻雜濃度。

16.如權利要求15所述的光調變器，其特征在于，該第四摻雜部分的一高度大于該第五摻雜部分的一高度。

17.如權利要求15所述的光調變器，其特征在于，該第四摻雜部分包含一豎立部以及一延伸部，該豎立部接觸該介電結構，該延伸部由該豎立部橫向延伸至該第五摻雜部分，且該豎立部的一高度大于該延伸部的一高度。

18.如權利要求17所述的光調變器，其特征在于，該豎立部的該高度等于該介電結構的一高度，且該延伸部的該高度等于該第五摻雜部分的一高度。