[發明專利]一種薄膜晶體管和顯示基板及其制作方法、顯示器件

有效

• 申請號: 201610201212.5
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105702585B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 楊麗娟;周如
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/34;H01L21/28;H01L21/44;H01L29/417;H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

本發明涉及顯示技術領域，公開了一種薄膜晶體管和顯示基板及其制作方法、顯示器件。所述制作方法在形成源電極和漏電極的構圖工藝中，首先在源漏金屬層上形成平坦層，提供平坦表面，然后在平坦層上形成光刻膠，從而光刻膠的厚度一致，曝光均勻，能夠嚴格控制源電極和漏電極的線寬，即使源電極和漏電極之間的間隔距離較小，由于不存在光刻膠過度曝光的現象，因此也不容易出現短接的問題，適用于高分辨率的產品中，并保證產品的良率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管和顯示基板及其制作方法、顯示器件。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器件(TFT-LCD)具有亮度好、對比度高、功耗低、體積小、重量輕等優點，得到越來越多地廣泛應用。隨著市場對分辨率的要求越來越高，為了兼顧高開口率和低功耗的性能，薄膜晶體管(TFT)的尺寸越來越小。對于薄膜晶體管制作工藝而言，溝道尺寸的微小化程度是整個薄膜晶體管性能的關鍵。其中，薄膜晶體管的溝道由有源層位于源電極和漏電極之間的部分形成。

參見圖2所示，對于薄膜晶體管的溝道，在形成源電極1和漏電極2的制程中，希望源電極1和漏電極2之間的間隔距離(對應溝道的寬度)A一致。但是，結合圖1a和1b所示，由于源電極1和漏電極2下面的膜層表面存在臺階，不平整，在形成源電極1和漏電極2的制程中，涂覆在源漏金屬層10上的光刻膠20在跨越臺階時，厚度會有改變：臺階上的光刻膠厚度d比其他區域的厚度d＇小。當這個厚度差異較大時，在對光刻膠20進行曝光后，會使得臺階上的光刻膠20過度曝光，而臺階下的光刻膠20曝光不足。在對光刻膠20顯影后，以光刻膠20為阻擋刻蝕形成的源電極1和漏電極2，其位于臺階下部分的線寬比位于臺階上部分的線寬要大，即，溝道位于臺階下部分的寬度比位于臺階上部分的寬度要小。在溝道尺寸比曝光機精度大、曝光機有足夠的Margin的情況下，盡管源電極1和漏電極2位于臺階下部分的線寬較大，也不會發生短接現象。但是，對于高分辨率產品，溝道尺寸已經越來越接近曝光機極限，這就導致在源電極1和漏電極2的制程中經常會因為溝道寬度過小，發生短接不良，如圖1a中線框B內所示。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管和顯示基板及其制作方法、顯示器件，用以解決源電極和漏電極形成在不平整表面上時，若兩者間隔距離較小容易發生短接的問題。

為解決上述技術問題，本發明實施例中提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

形成源漏金屬層；

在所述源漏金屬層上形成平坦層；

對所述平坦層和源漏金屬層進行構圖工藝，形成源電極和漏電極。

本發明實施例中還提供一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板包括薄膜晶體管，所述制作方法包括：

采用如上所述的制作方法形成薄膜晶體管。

本發明實施例中還提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層、源電極和漏電極，采用如上所述的制作方法制得，所述有源層包括位于所述源電極和漏電極之間的第一部分，所述第一部分從靠近源電極的一側到靠近漏電極一側的寬度一致。

本發明實施例中還提供一種顯示基板，包括如上所述的薄膜晶體管。

本發明實施例中還提供一種顯示器件，包括如上所述的顯示基板。

本發明的上述技術方案的有益效果如下：

上述技術方案中，在形成源電極和漏電極的構圖工藝中，首先在源漏金屬層上形成平坦層，提供平坦表面，然后在平坦層上形成光刻膠，從而光刻膠的厚度一致，曝光均勻，能夠嚴格控制源電極和漏電極的線寬，即使源電極和漏電極之間的間隔距離較小，由于不存在光刻膠過度曝光的現象，因此也不容易出現短接的問題，適用于高分辨率的產品中，并保證產品的良率。

附圖說明