[發明專利]一種納米銀凹印油墨及其制備方法

在審

• 申請號: 201610201024.2
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105670384A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 周虎;胡永能;黃良輝
• 申請（專利權）人: 廣東南海啟明光大科技有限公司
• 主分類號: C09D11/14
• 分類號: C09D11/14;C09D11/107;C09D11/102;C09D11/03
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 唐超文;賀紅星

技術領域

本發明屬于化學化工領域，具體涉及一種含納米銀材料的凹印油墨的配方及制備方 法，即一種納米銀凹印油墨及其制備方法。

背景技術

凹印油墨也叫凹印液態油墨，是一種穩定的有顏色的膠體分散體系，可用適當的印刷方 式將其涂布在適當的基材上，使其呈現文字圖案以及顏色和提供信息及吸引力。

同其它印刷油墨一樣，凹印油墨主要組成部分為有色物質(顏料)和連結料。其中有色 物質起顯色作用，靠與承印物的顏色不同形成對比，在承印物上顯出圖像來。只有油墨各組 分的比例調配好，才能達到油墨應有的印刷適性和使用性能，才能使印刷油墨與印版、印刷 機、承印材料之間得以良好的配合，使印刷工藝順利進行。

凹印油墨大多是揮發性溶劑型油墨，由顏料、固體樹脂、揮發性溶劑、填充料和附加劑 組成。凹版印刷的印版是由一個個與原稿圖文相對應的凹坑與印版的表面所組成的。印刷時， 油墨被充填到凹坑內，印版表面的油墨用刮墨刀刮掉，印版與承印物之間有一定的壓力接觸， 將凹坑內的油墨轉移到承印物上，完成印刷。

隨著電子技術的發展，如柔性電路板、RFID天線等電子器件和產品的問世，傳統的凹印 油墨在流動性能、光學性能、耐抗性能等方面難以適應新的技術要求。

發明內容

針對傳統技術的不足，本發明特提出一種納米銀凹印油墨及其制備方法，它不僅能解決 傳統技術所面臨的新問題，還具有其它有益效果。

一種納米銀凹印油墨，通常含有以下成分：小于10nm的銀納米粒子，用量20-50wt％；大 于10nm的納米銀材料和微米銀材料，用量20-50wt％；不揮發有機成分，用量0-1wt％；揮發 有機成分，用量20-30wt％；

上述大于10nm的納米銀材料和微米銀材料為厚度20-30nm，直徑100-1000nm的納米銀片、 粒徑20-100nm的納米銀粉、粒徑小于1um的超細微米銀片粉等。

上述不揮發有機成分為高分子樹脂，優選的，所用高分子樹脂為乙基纖維素、羥丙基纖 維素、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂等。

上述揮發有機成分為高沸點溶劑、表面助劑。優選的，所用高沸點溶劑為乙二醇丙醚、 乙二醇丁醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丙醚、二乙二醇丁醚、丙二醇丙醚、丙二醇丁醚、二 丙二醇乙醚、二丙二醇丙醚、二丙二醇丁醚、乙二醇丙醚醋酸酯、乙二醇丁醚醋酸酯、二乙 二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇丙醚醋酸酯、二乙二醇丁醚醋酸酯、丙二醇丙醚醋酸酯、丙二醇 丁醚醋酸酯、二丙二醇乙醚醋酸酯、二丙二醇丙醚醋酸酯、二丙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇、 松油醇、石油醚等；所用表面助劑為有機胺、有機羧酸、聚氧乙烷和聚氧丙烷共聚物，失水 山梨醇脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯、聚氧乙烯脂肪醇醚、聚氧乙烯聚脂肪醇醚、聚甘油脂肪酸 酯、聚硅氧烷、聚醚改性硅氧烷等。

本發明所述一種納米銀凹印油墨的制備方法，包含以下步驟：

(1)將一定量高分子樹脂或其混合物攪拌加高沸點溶劑或其混合物，加熱至60-120℃ 溶解30-120min，配制0-5wt％的高分子樹脂溶液，稱為組分A；

(2)將一定量的小于10nm的納米銀粒子材料加入環己烷中，配制50wt％分散液，稱為 組分B，通過高速剪切、超聲等設備促進納米銀粒子單分散；

(3)將一定量的大于10nm的納米銀材料和微米銀材料攪拌加入冷卻的組分A中，并 加入前述表面助劑改善其分散，通過研磨、高速剪切、三輥密煉等促進分散， 得到粘稠的組分C；

(4)將一定量組分B加入到組分C中，攪拌均勻，通過抽真空去除環己烷，得到粘稠 的組分D；

(5)在組分D中加入適量前述的助劑和其混合物，得到凹印油墨。

本發明的有益效果是：由于納米材料是指在三維空間中至少有一維處于納米尺度范圍 (1-100nm)或由它們作為基本單元構成的材料。當宏觀物體被細分到納米尺度后，其光學、熱 學、電學、磁學、力學及化學方面的性質將會有顯著的改變，可廣泛應用于電子、醫藥、化 工、軍事、航空航天等眾多領域。納米銀材料具有獨特的光學、電學和量子尺寸相關的性能。 含納米銀材料的凹印油墨主要用于通過凹印實現導電功能線條和圖案的印刷制備，可廣泛應 用于制造柔性電路板、RFID天線等電子器件和產品。該凹印油墨采用商業型R2R凹印設備， 可實現1-3um厚度、最細50um線徑的印刷，小于150℃低溫燒結電阻率低至5uΩ·cm。

具體實施方式