[發明專利]鍵合加熱控制裝置及其方法有效
| 申請號: | 201610200573.8 | 申請日: | 2016-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN107293504B | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | 羅晉;商飛祥 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 控制 裝置 及其 方法 | ||
1.一種鍵合加熱控制裝置,其特征在于,包括加熱控制器以及兩個加熱裝置與兩個加熱驅動裝置;
所述加熱裝置用于對硅片或玻璃片進行加熱加壓,所述加熱裝置中設置有加熱器及至少兩個溫度傳感器;所述加熱裝置按順序依次包括:壓盤、第一石墨片、加熱盤、第二石墨片、陶瓷盤以及底座,在所述壓盤與所述第一石墨片之間設置的溫度傳感器為壓盤溫度傳感器,在所述加熱器與所述第二石墨片之間設置的溫度傳感器為加熱器溫度傳感器,所述壓盤溫度傳感器為工藝評估點,所述加熱器溫度傳感器為反饋控制點;
所述加熱控制器用于實現對所述兩個加熱裝置中各溫度傳感器的測量,分別輸出加熱器的PWM開度;
所述加熱驅動裝置根據所述加熱控制器輸出的PWM開度,驅動所述加熱器工作,以分別對兩個硅片或玻璃片同時進行加熱加壓。
2.如權利要求1所述的鍵合加熱控制裝置,其特征在于,還包括人機界面,所述人機界面用于設置裝置參數,以啟動或停止鍵合工藝。
3.如權利要求2所述的鍵合加熱控制裝置,其特征在于,所述裝置參數包括:加熱器PWM開度設定值、加熱速率與加熱器PWM開度設定值的比值、PID參數。
4.如權利要求1所述的鍵合加熱控制裝置,其特征在于,所述加熱盤內設置有電加熱器。
5.一種鍵合加熱控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S01:加熱控制器測量加熱裝置中溫度傳感器的溫度,輸出所述加熱裝置中加熱器的PWM開度;所述加熱裝置按順序依次包括:壓盤、第一石墨片、加熱盤、第二石墨片、陶瓷盤以及底座,在所述壓盤與所述第一石墨片之間設置的溫度傳感器為壓盤溫度傳感器,在所述加熱器與所述第二石墨片之間設置的溫度傳感器為加熱器溫度傳感器,所述壓盤溫度傳感器為工藝評估點,所述加熱器溫度傳感器為反饋控制點;
步驟S02:加熱驅動裝置根據所述加熱控制器輸出的PWM開度,驅動所述加熱器工作,所述加熱控制器分別輸出兩個加熱裝置中加熱器的PWM開度,兩個加熱驅動裝置分別驅動兩個加熱器工作,所述兩個加熱裝置同時工作但相互獨立;
步驟S03:所述加熱裝置分別對兩個硅片或玻璃片同時進行加熱加壓。
6.如權利要求5所述的鍵合加熱控制方法,其特征在于,根據所述加熱器溫度偏差值的大小,將所述加熱器的加熱過程分為三個階段:速率加熱階段、溫度粗調階段以及溫度精調階段。
7.如權利要求6所述的鍵合加熱控制方法,其特征在于,在所述速率加熱階段,根據實驗計算出加熱速率與加熱器PWM開度設定值的比值,作為鍵合加熱控制的參數設置。
8.如權利要求6所述的鍵合加熱控制方法,其特征在于,在所述溫度粗調階段,采用PID控制算法,將PID參數、加熱器PWM開度設定值限幅范圍作為鍵合加熱控制的參數設置。
9.如權利要求6所述的鍵合加熱控制方法,其特征在于,在所述溫度精調階段,采用PID控制算法,將PID參數、加熱器PWM開度設定值限幅范圍作為鍵合加熱控制的參數設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海微電子裝備(集團)股份有限公司,未經上海微電子裝備(集團)股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610200573.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于預測芯片高溫操作壽命的方法及裝置
- 下一篇:疊層封裝結構及其形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





