[發(fā)明專利]一種雙管反激的單級PFC的LED電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610200219.5
• 申請日: 2016-04-05
• 公開（公告）號: CN105682303B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱俊高;王斌;廖興高
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市萊福德光電有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本發(fā)明公開了一種雙管反激的單級PFC的LED電路，包括VCC供電電路、雙管反激電路、三極管Q3和芯片IC1，所述三極管Q3與VCC供電電路的輸出端電性連接，所述二極管D4分別與MOS管Q3和電容C8并聯(lián)，所述MOS管Q3通過電容C18與MOS管Q4串聯(lián)，所述電容C18也連接于變壓器T1的第一初級側(cè)，所述變壓器T1的次級側(cè)連接有二極管DS7、二極管DS6、電容CS11、電阻RS1和電阻RS2，所述MOS管Q3的N溝道分別連接于電阻R22和電阻R6，所述芯片IC1的腳通過電阻R17輸出到圖騰電路。本發(fā)明因為電路結(jié)構(gòu)簡單，MOS耐壓低自然RDS小，損耗低，效率高，節(jié)省能源，延長產(chǎn)品壽命，同時成本也低，降低了成本，一個高耐壓的MOS，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于兩個低壓的MOS。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于LED電源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙管反激的單級PFC的LED電路，具體應(yīng)用到較高的交流輸入電壓，較高的PF且低THD要求的LED電源。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的LED電源技術(shù)應(yīng)用要么是輸入電壓在305V以下，要么是通過雙級PFC電路實現(xiàn)較高輸入電壓，從整機的成本，以及器件的應(yīng)用選型，到整機的效率，產(chǎn)品的功率密度等都是一個比較傳統(tǒng)的技術(shù)，造成整機的成本高，以及器件的應(yīng)用選型差及到整機的效率低。現(xiàn)用雙管單級PFC電路能較好的解決現(xiàn)有技術(shù)的不足。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是提供一種電路結(jié)構(gòu)簡單、器件耐壓通用，器件易選型，器件余量足，配合現(xiàn)有的單級PFC電路，實現(xiàn)高PFC低THD的一種LED電源電路實現(xiàn)產(chǎn)品成本低，產(chǎn)品競爭能力強。

為了實現(xiàn)以上目的以及解決現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案得以實現(xiàn)。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：

一種雙管反激的單級PFC的LED電路，包括VCC供電電路、雙管反激電路、MOS管Q3和芯片IC1，所述雙管反激電路包括變壓器T2、二極管D4、電容C8、二極管D10和電容C17，所述變壓器T2包括初級側(cè)N1和兩個次級側(cè)N2和次級側(cè)N3所述次級側(cè)N2并聯(lián)有穩(wěn)壓二極管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3與VCC供電電路的輸出端電性連接，所述二極管D4分別與MOS管Q3和電容C8并聯(lián)，所述MOS管Q3通過電容C18與MOS管Q4串聯(lián)，所述次級側(cè)N3的右側(cè)并聯(lián)有穩(wěn)壓二極管Z3，所述穩(wěn)壓二極管Z3和MOS管Q4并聯(lián)，所述MOS管Q4分別與電容C17和二極管D10并聯(lián)，所述電容C17和二極管D10并聯(lián)，所述二極管D4與電容C17的輸出端連接，且所述二極管D4與電容C17連接于變壓器T1的第一初級側(cè)，所述電容C18也連接于變壓器T1的第一初級側(cè)，所述變壓器T1的次級側(cè)連接有二極管DS7、二極管DS6、電容CS11、電阻RS1和電阻RS2，所述二極管DS7和二極管DS6并聯(lián)，且二極管DS7和二極管DS6串接于電阻RS26和電阻RS27并聯(lián)電路，所述電阻RS26和電阻RS27并聯(lián)電路和電阻RS1和電阻RS2并聯(lián)電路串聯(lián)，所述MOS管Q3的N溝道分別連接于電阻R22和電阻R6，所述芯片IC1的腳通過電阻R17輸出到圖騰電路。

優(yōu)選的，所述初級側(cè)N1上串聯(lián)有電阻R23。

優(yōu)選的，所述圖騰電路包括NPN型三極管Q1和PNP型三極管Q2。

本發(fā)明還提供了一種雙管反激的單級PFC的LED電路的保護方法，該方法是是把雙管反激電路與PSR的單級PFC電路結(jié)合在一起，能較好的處理較高的交流電壓輸入時MOS耐壓問題，把本應(yīng)用約1KV以上耐壓的MOS，用兩個常用耐壓的650V或700V的MOS串聯(lián)使用，可以較好的解決單顆MOS的高耐壓問題，同時相對單顆高壓MOS比較，兩顆低壓MOSRDS較小，損耗較小，提高了整機效率，具體工作過程如下：

S1、PWM信號由IC1的腳輸?shù)絅PN型三極管Q1和PNP型三極管Q2組成的圖騰，放大IC的驅(qū)動電流能力，把PWM信號經(jīng)電容C2輸?shù)阶儔浩鱐2的初級側(cè)N1；