[發明專利]一種外延錫酸鍶鈷薄膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201610199934.1 | 申請日： | 2016-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN107287563A | 公開（公告）日： | 2017-10-24 |
| 發明（設計）人： | 高相東;虎學梅;李效民 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C23C14/28 | 分類號： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,鄭優麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 錫酸鍶鈷 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種外延錫酸鍶鈷薄膜，其特征在于，以鈣鈦礦結構的單晶或立方結構的單晶為襯底，以錫酸鍶鈷陶瓷為靶材，采用脈沖激光沉積技術在所述襯底上沉積外延錫酸鍶鈷薄膜，所述延錫酸鍶鈷薄膜的化學組成為SrSn1-xCoxO3，0＜x＜1，其中Co原子取代SrSnO3中的Sn位。
2.根據權利要求1所述的外延錫酸鍶鈷薄膜，其特征在于，所述外延錫酸鍶鈷薄膜的厚度為10～1000 nm。
3.根據權利要求1或2所述的外延錫酸鍶鈷薄膜，其特征在于，所述外延錫酸鍶鈷薄膜的表面粗糙度為0.1～1nm。
4.一種如權利要求1-3中任一項所述外延錫酸鍶鈷薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
（1）選取錫酸鍶鈷為靶材，利用脈沖激光沉積技術在預處理后的襯底表面進行薄膜生長；
（2）將（1）所得薄膜在一定氣氛下進行熱處理。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述預處理包括：將襯底依次在去離子水、乙醇、丙酮中超聲清洗，每次持續時間1～60 分鐘，優選10～30 分鐘，最后在干燥的氮氣下吹干。
6.根據權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述襯底為鈦酸鍶、鋁酸鑭、鐵酸鑭、鋯鈦酸鉛、鈮鎂酸鉛、氧化鎂中的一種。
7.根據權利要求4-6中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述脈沖激光沉積技術的參數為：氧壓范圍為0.0001～1 Pa，襯底溫度為20～800℃，激光功率為100～300mJ/cm2，頻率為0.1～50Hz，薄膜生長時間為1分鐘～10小時。
8.根據權利要求4-7中任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述熱處理為在500～1300℃下煅燒1～24小時。
9.根據權利要求4-8所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述氣氛為真空、空氣、氧氣、氮氣或氬氣。
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