[發(fā)明專利]基于碳化硅襯底的石墨烯場效應(yīng)晶體管陣列的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610198547.6 | 申請日： | 2016-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN105845553B | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王權(quán);董金耀;張偉;柳國民;田飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/285;H01L21/8256;H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨烯 石墨烯場效應(yīng)晶體管 苯乙烯 制備 納米帶 碳化硅 襯底 反應(yīng)離子刻蝕技術(shù) 高介電常數(shù)柵介質(zhì) 甲基丙烯酸甲酯 雙嵌段共聚物 單層石墨烯 納機(jī)電系統(tǒng) 碳化硅表面 原子層沉積 表面生長 表面形成 丙酮溶液 高遷移率 散射問題 外延生長 殘余的 規(guī)模化 緩沖層 金屬釔 聚合物 相分離 柵電極 電極 晶體管 成核 刻蝕 掩膜 柵氧 薄膜 沉積 去除 生長 加工 保證 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
