[發(fā)明專利]一種無襯底PbS/CH3NH3PbX3核殼納米材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610198297.6 | 申請日： | 2016-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN105845827B | 公開（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 利明;袁小親;阮浩然;鄧曉寧 | 申請（專利權(quán)）人： | 桂林理工大學(xué) |
| 主分類號： | H01L51/46 | 分類號： | H01L51/46;H01L51/42;C01G21/21;B82Y30/00 |
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| 地址： | 541004 廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 襯底 pbs ch sub nh pbx 納米 材料 制備 方法 | ||
【說明書】：
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
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