[發(fā)明專利]一種制備高取向性石墨烯納米結構的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610198221.3 | 申請日： | 2016-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN105668561B | 公開（公告）日： | 2017-11-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 萬能 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | C01B32/184 | 分類號： | C01B32/184;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249 | 代理人： | 楊曉玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 向性 石墨 納米 結構 方法 | ||
1.一種高取向性石墨烯納米結構的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟10)在襯底表面制備非晶碳納米線，所述的非晶碳納米線為含碳的有機物材料制成；
步驟20)對非晶碳納米線施加拉伸應力，并且進行電子束輻照，輻照能量小于非晶碳納米線材料的表面濺射能量閾值，且小于非晶碳納米線材料的體刻蝕閾值，輻照時間為5-200分鐘，從而制得沿著應力或者應變方向取向的高取向性石墨烯納米結構；所述的對非晶碳納米線施加拉伸應力時，施加的拉伸應力低于非晶碳納米線的斷裂極限，且輻照過程中，由于應力釋放導致的非晶碳納米線沿長度方向產(chǎn)生的應變大于0.001％。
2.按照權利要求1所述的高取向性石墨烯納米結構的制備方法，其特征在于，所述的非晶碳納米線在電子束輻照強度下，至少在5分鐘內(nèi)非晶碳納米線材料不分解。
3.按照權利要求1所述的高取向性石墨烯納米結構的制備方法，其特征在于，所述的電子束輻照能量為使非晶碳納米線材料表面碳原子產(chǎn)生濺射的電子束能量閾值的20％-80％。
4.按照權利要求1所述的高取向性石墨烯納米結構的制備方法，其特征在于，所述的對非晶碳納米線施加拉伸應力是指：使用熱致伸縮、聲致伸縮、光致伸縮、電致伸縮或者磁致伸縮的間接應力、應變加載方式，或者直接施加應力、應變加載的方式，對非晶碳納米線施加拉伸應力。
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