[發(fā)明專利]一種泡囊草的組織培養(yǎng)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610197564.8
• 申請(qǐng)日: 2016-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN105766646B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王曉娟;楊鼎;伊風(fēng)艷;孫海蓮;賽希雅拉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 內(nèi)蒙古自治區(qū)農(nóng)牧業(yè)科學(xué)院
• 主分類號(hào): A01H4/00
• 分類號(hào): A01H4/00
• 代理公司: 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司11403
• 代理人: 王安娜,李翔

1.一種泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)外植體滅菌

選取泡囊草當(dāng)年生、健壯枝條上的葉片為外植體，用解剖刀將外植體切成5×5mm² 的方塊，用中性洗滌劑洗滌外植體方塊10min洗掉表面污漬后，自來(lái)水下沖洗20min，濾紙吸干水分后置于超凈工作臺(tái)滅菌，用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％升汞進(jìn)行消毒處理2～3min，無(wú)菌水沖洗3～5次；

(2)泡囊草芽的初代誘導(dǎo)培養(yǎng)

將滅菌好的外植體方塊接種到初代誘導(dǎo)培養(yǎng)基上，初代誘導(dǎo)培養(yǎng)7～15天，至新芽長(zhǎng)出；所述初代誘導(dǎo)培養(yǎng)基為MS基本培養(yǎng)基；

(3)繼代增殖培養(yǎng)

將獲得的新芽接種到繼代增殖培養(yǎng)基上，繼代增殖培養(yǎng)20～26天，至不定芽伸長(zhǎng)至2～3cm；所述繼代增殖培養(yǎng)基為MS基本培養(yǎng)基；

(4)組培苗生根

將不定芽自基部切下，接種到生根培養(yǎng)基上，培養(yǎng)18～21天，至幼根伸長(zhǎng)至2～3cm；所述生根培養(yǎng)基是在MS基本培養(yǎng)基中添加0～0.5mg/L IBA得到的；

(5)組培苗移栽

將幼根伸長(zhǎng)至2～3cm的組培苗在室溫下煉苗2～3天后，除去培養(yǎng)瓶的封口膜，在培養(yǎng)瓶?jī)?nèi)添加8mL水繼續(xù)煉苗3～5天，然后取出組培苗，洗去根上附著的多余培養(yǎng)基，用稀釋10倍的多菌靈溶液浸泡8～10min，移栽到含水量為68％～71％的無(wú)菌營(yíng)養(yǎng)土中，外覆塑料薄膜保濕，14～15天后移栽到大田，即可。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(2)中所述初代誘導(dǎo)培養(yǎng)的條件為：培養(yǎng)室溫度為20～28℃，光照12-14h，光照強(qiáng)度2000-2500Lx。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(2)中所述初代誘導(dǎo)培養(yǎng)的時(shí)間為7～10天。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(3)中所述繼代增殖培養(yǎng)的條件為：培養(yǎng)室溫度為20～28℃，光照12-14h，光照強(qiáng)度2000-2500Lx。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(3)中所述繼代增殖培養(yǎng)的時(shí)間為21～23天。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(4)中所述組培苗生根的條件為：培養(yǎng)室溫度為20～28℃，光照12-14h，光照強(qiáng)度2000-2500Lx。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，所述生根培養(yǎng)基是在MS基本培養(yǎng)基中添加0.02～0.03mg/L IBA得到的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡囊草的組織培養(yǎng)方法，其特征在于，步驟(5)中所述無(wú)菌營(yíng)養(yǎng)土包含腐殖質(zhì)和珍珠巖，其中腐殖質(zhì)和珍珠巖的質(zhì)量比為1～2。