[發明專利]LED芯片、LED芯片封裝結構及制作方法

在審

• 申請號: 201610197321.4
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN107293626A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 張杰;彭遙
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED芯片，其特征在于，包括：

外延片，所述外延片上具有第一電極區域和第二電極區域，所述第一電極區域內設有第一正極和第一負極，所述第二電極區域內設有第二正極和第二負極；所述外延片上設有用于電隔離的溝槽，所述第一正極和第二負極位于所述溝槽的一側，所述第一負極和第二正極位于所述溝槽的另一側；

共晶層，所述共晶層包括第一共晶層和第二共晶層，所述第一共晶層設置于第一電極區域并覆蓋第一正極和第一負極，所述第二共晶層設置于第二電極區域并覆蓋第二正極和第二負極。

2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括導電層；所述外延片包括襯底、位于襯底之上的緩沖層、N型半導體層、發光層和P型半導體層，所述導電層設于P型半導體層之上，所述第一正極和第二正極設置在導電層上并與導電層電連接；所述第一電極區域和第二電極區域上設有延伸至N型半導體層的負電極孔，所述第一負極和第二負極設置在負電極孔中并與N型半導體層電連接，所述負電極孔的側壁與第一負極和第二負極之間設有絕緣層。

3.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述溝槽的深度延伸至襯底。

4.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述溝槽內填充有絕緣材料。

5.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述導電層上還依次設有反射層、保護層，所述共晶層位于保護層之上。

6.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述共晶層覆蓋外延片表面的面積占外延片表面總面積的50%-70%。

7.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述共晶層的材料為Cr/Ti/Au、Ti/ Al或Ti/Au合金中的一種。

8.一種LED芯片封裝結構，其特征在于，包括：

基板，所述基板上設置有電極；

如權利要求1-7任一項所述的LED芯片，所述LED芯片倒置在所述基板上，所述第一共晶層和第二共晶層與所述基板上的電極對應連接。

9.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

形成外延片，所述外延片包括襯底和在襯底上依次形成的緩沖層、N型半導體層、發光層和P型半導體層；

在外延片上形成刻蝕至襯底的溝槽，并在溝槽內填充絕緣材料，所述溝槽將外延片分割為兩部分，溝槽的兩側分別形成有第一電極區域和第二電極區域；

在外延片上的第一電極區域和第二電極區域分別形成負電極孔，所述負電極孔刻蝕至N型半導體層；

在P型半導體層上形成導電層；

在第一電極區域和第二電極區域的導電層上分別形成第一正極和第二正極，在第一電極區域和第二電極區域的負電極孔中分別形成第一負極和第二負極；

在負電極孔的側壁上形成絕緣層；

形成共晶層，所述共晶層包括第一共晶層和第二共晶層，所述第一共晶層形成在第一電極區域并覆蓋第一正極和第一負極，所述第二共晶層形成在第二電極區域并覆蓋第二正極和第二負極。

10.如權利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在第一電極區域和第二電極區域的導電層上分別形成第一正極和第二正極，第一電極區域和第二電極區域的負電極孔中分別形成第一負極和第二負極之后，還包括：

在導電層上依次形成反射層和保護層。