[發明專利]包括場效應晶體管的半導體器件有效
| 申請號： | 201610197247.6 | 申請日： | 2016-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN106057891B | 公開（公告）日： | 2021-06-11 |
| 發明（設計）人： | 金東宇;李承勛;金善政;李炫姃;具本榮 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包括 場效應 晶體管 半導體器件 | ||
【說明書】：
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