[發明專利]低相位噪聲射頻頻率合成電路

有效

• 申請號: 201610195107.5
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105763190B
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 邱紫敬;祁峰;明剛;鐘達;梅剛華
• 申請（專利權）人: 中國科學院武漢物理與數學研究所
• 主分類號: H03L7/18
• 分類號: H03L7/18
• 代理公司: 武漢宇晨專利事務所 42001
• 代理人: 李鵬;王敏鋒

1.低相位噪聲射頻頻率合成電路，包括低相噪晶振(1)，其特征在于，低相噪晶振(1)與一級信號放大器(2)的輸入端連接，一級信號放大器(2)的輸出端與一級SBD三倍頻器(3)的輸入端連接，一級SBD三倍頻器(3)的輸出端與二級信號放大器(4)的輸入端連接，二級信號放大器(4)的輸出端與調制器(5)的第一輸入端連接，調制器(5)的第二輸入端接入三角波，調制器(5)的輸出端與二級SBD三倍頻器(6)的輸入端連接，二級SBD三倍頻器(6)的輸出端與三級信號放大器(7)的輸入端連接。

2.根據權利要求1所述的低相位噪聲射頻頻率合成電路，其特征在于，所述的一級SBD三倍頻器(3)和二級SBD三倍頻器(6)均包括電感L1、電感L2、電感L3、全波橋式整流器、電容C1、電容C2和電容C3，電感L1的一端作為輸入端，另一端通過電容C1接電氣地并且還通過全波橋式整流器與電感L2一端連接，電感L2另一端通過電感L3接電氣地，電感L2兩端并聯有電容C2，電感L3兩端并聯有電容C3。

3.根據權利要求2所述的低相位噪聲射頻頻率合成電路，其特征在于，所述的全波橋式整流器包括二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4和電感L4，二極管D1的陽極與二極管D2的陰極連接并作為輸入端，二極管D4的陽極與二極管D3的陰極連接并作為輸出端，二極管D1的陰極分別與二極管D4的陰極和電感L4的一端連接，二極管D2的陽極分別與二極管D3的陽極和電感L4的另一端連接。

4.根據權利要求1所述的低相位噪聲射頻頻率合成電路，其特征在于，所述的調制器(5)包括電容C4、電容C5、電容C6、雙電調變容二極管VD1、雙電調變容二極管VD2、電感L5和電感L6，雙電調變容二極管VD1的正極和雙電調變容二極管VD2的正極連接且作為調制器(5)的第二輸入端，電感L5一端和電感L6一端連接且作為調制器(5)的直流偏壓輸入端，電感L5另一端與雙電調變容二極管VD1的負極連接，電感L6另一端與雙電調變容二極管VD2的負極連接，電容C4一端作為調制器(5)的第一輸入端，電容C4另一端與雙電調變容二極管VD1的負極連接，電容C5一端作為調制器(5)的輸出端，電容C5另一端與雙電調變容二極管VD1的負極連接，電容C6的兩端分別與雙電調變容二極管VD1的負極和雙電調變容二極管VD2的負極連接。

5.根據權利要求1所述的低相位噪聲射頻頻率合成電路，其特征在于，所述的一級信號放大器(2)、二級信號放大器(4)和三級信號放大器(7)均包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電感L7、電感L8、三極管Q1，電阻R2一端和電感L7一端分別與電源連接，電阻R2的另一端與三極管Q1基極連接，三極管Q1基極通過電阻R3接電氣地，電感L7另一端與三極管Q1集極連接，三極管Q1集極與電容C10一端連接，電容C10另一端作為輸出端，電感L7的兩端并聯有電容C7，三極管Q1發射極與電容C9一端連接，電容C9另一端作為輸入端，三極管Q1發射極與電阻R1一端連接，電阻R1另一端通過電感L8接電氣地，電感L8兩端并聯有電容C8。