[發明專利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

有效

• 申請號: 201610194250.2
• 申請日: 2016-03-30
• 公開（公告）號: CN105633016B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 葛世民
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉積透明導電膜(11)和遮光膜(12)；

步驟2、采用一道半透光罩(15)對所述透明導電膜(11)與遮光膜(12)進行圖形化處理，得到位于基板(10)上且間隔設置的透明導電層(21)與公共電極(22)、以及位于透明導電層(21)上方與其寬度相等且兩端對齊的遮光層(30)；

步驟3、在所述遮光層(30)、公共電極(22)、及基板(10)上沉積緩沖層(40)，在所述緩沖層(40)上依次沉積氧化物半導體層(41)、絕緣層(42)、及柵極金屬層(43)；

步驟4、采用一道光罩對所述柵極金屬層(43)與絕緣層(42)進行圖形化處理，得到寬度相等且兩端對齊的柵極(50)及柵極絕緣層(60)；

以所述柵極(50)與柵極絕緣層(60)為遮蔽層，對所述氧化物半導體層(41)進行離子摻雜，將所述氧化物半導體層(41)上未被所述柵極(50)及柵極絕緣層(60)覆蓋的區域轉化為氧化物導體；

步驟5、采用一道光罩對所述氧化物半導體層(41)進行圖形化處理，形成有源層(70)以及與有源層(70)相連的像素電極(80)；

所述有源層(70)包括對應于所述柵極(50)下方的溝道區(71)、位于所述溝道區(71)一側的漏極接觸區(72)、位于所述溝道(71)另一側且與像素電極(80)相連的連接區(73)；其中，所述有源層(70)的溝道區(71)為氧化物半導體材料，所述有源層(70)的漏極接觸區(72)與連接區(73)、以及像素電極(80)為氧化物導體材料；

所述氧化物半導體材料為透明金屬氧化物半導體材料，所述氧化物導體材料為離子摻雜的透明金屬氧化物半導體材料；

步驟6、在所述柵極(50)、有源層(70)、及緩沖層(40)上沉積第一鈍化層(90)，采用一道光罩對該第一鈍化層(90)進行圖形化處理，在所述第一鈍化層(90)上形成對應于所述漏極接觸區(72)的通孔(91)；

步驟7、在所述第一鈍化層(90)上沉積漏極金屬層(95)，采用一道光罩對該漏極金屬層(95)進行圖形化處理，得到漏極(96)，所述漏極(96)通過通孔(91)與所述有源層(70)的漏極接觸區(72)相接觸，在所述漏極(96)、及第一鈍化層(90)上沉積第二鈍化層(98)，完成TFT基板的制作。

2.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2包括：

步驟21、在所述遮光膜(12)上涂布一光阻層(14)，采用一半透光罩(15)對所述光阻層(14 )進行圖形化處理，得到間隔設置的第一光阻段(16)與第二光阻段(17)；所述第一光阻段(16)的厚度大于所述第二光阻段(17)的厚度；

步驟22、以所述第一光阻段(16)與第二光阻段(17)為阻擋層，對所述透明導電膜(11)與遮光膜(12)進行蝕刻，得到對應于所述第一光阻段(16)下方的遮光層(30)與透明導電層(21)、以及對應于所述第二光阻段(17)下方的遮光段(31)與公共電極(22)；

步驟23、對所述第一光阻段(16)與第二光阻段(17)進行灰化處理，薄化第一光阻段(16)并去除第二光阻段(17)；

步驟24、以第一光阻段(16)為阻擋層，對所述遮光段(31)進行蝕刻，去除該遮光段(31)；

步驟25、將剩余的第一光阻段(16)剝離去除。

3.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述半透光罩(15)為灰階光罩、半色調光罩、或者單縫光罩。

4.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中，對所述氧化物半導體層(41)進行離子摻雜的方式為等離子體處理。