[發明專利]一種雙層部分SOI LIGBT器件及其制造方法有效

申請號：	201610193224.8	申請日：	2016-03-30
公開（公告）號：	CN105633140B	公開（公告）日：	2018-06-12
發明（設計）人：	郭厚東;成建兵;陳旭東;滕國兵	申請（專利權）人：	南京郵電大學
主分類號：	H01L29/739	分類號：	H01L29/739;H01L21/331;H01L23/367;H01L29/10
代理公司：	南京經緯專利商標代理有限公司 32200	代理人：	朱小兵;朱楨榮
地址：	210023 ***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	埋氧層上表面硅襯底分段隔離擊穿電壓散熱能力隔離襯漏電流氧化層夾層兩層制造保證
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【權利要求書】：

1. 一種雙層部分SOI LIGBT器件，其特征在于，包括硅襯底，硅襯底上從左到右依次設有第一埋氧層和N埋層，N埋層的上表面高于第一埋氧層的上表面，第一埋氧層上設有P埋層，N埋層上設有第二埋氧層，P埋層的上表面和第二埋氧層的上表面在同一高度，P埋層和第二埋氧層上設有N型漂移區；

N型漂移區中的左側設有P體區，P體區中從左到右依次設有陰極重摻雜P+區、陰極重摻雜N+區，N型漂移區中的右側設有陽極P+區、輕摻雜N緩沖區和陽極重摻雜N+區，輕摻雜N緩沖區位于陽極P+區的下方，陽極重摻雜N+區位于陽極P+區和輕摻雜N緩沖區的右側且與第二埋氧層的右側接觸；

陰極重摻雜P+區的上表面和陰極重摻雜N+區的部分上表面設有陰極，陰極重摻雜N+區的部分上表面、P體區的上表面和N型漂移區的上表面部分區域橫跨設有柵極，陽極P+區的上表面部分區域設有陽極，柵極與陰極之間設有氧化層，柵極的下表面也設有氧化層，柵極與陽極之間設有氧化層；

所述N埋層為N型導電類型的埋層，P埋層為P型導電類型的埋層，P體區為P型導電類型的體區，輕摻雜N緩沖區為N型導電類型的輕摻雜的緩沖區。

2.根據權利要求1所述的一種雙層部分SOI LIGBT器件，其特征在于，所述硅襯底為部分SOI硅襯底。

3.基于權利要求1所述的一種雙層部分SOI LIGBT器件的制造方法，包括以下步驟：

步驟一、提供硅襯底；

步驟二、在硅襯底上從左到右依次設有第一埋氧層和N埋層，N埋層的上表面高于第一埋氧層的上表面，第一埋氧層上設有P埋層，N埋層上設有第二埋氧層，P埋層的上表面和第二埋氧層的上表面在同一高度，在P埋層區進行P摻雜，在N埋層區進行N摻雜；

步驟三、在P埋層和第二埋氧層上設有N型漂移區；

步驟四、在N型漂移區中的左側設有P體區，P體區中從左到右依次設有陰極重摻雜P+區、陰極重摻雜N+區，N型漂移區中的右側設有陽極P+區、輕摻雜N緩沖區和陽極重摻雜N+區，輕摻雜N緩沖區位于陽極P+區的下方，陽極重摻雜N+區15位于陽極P+區和輕摻雜N緩沖區的右側且與第二埋氧層的右側接觸；

步驟五、陰極重摻雜P+區的上表面和陰極重摻雜N+區的部分上表面設有陰極，陰極重摻雜N+區的部分上表面、P體區的上表面和N型漂移區的上表面部分區域橫跨設有柵極，陽極P+區的上表面部分區域設有陽極，柵極與陰極之間設有氧化層，柵極的下表面也設有氧化層，柵極與陽極之間設有氧化層。

4.根據權利要求3所述的一種雙層部分SOI LIGBT器件的制造方法，其特征在于，所述N埋層區和P埋層區的濃度為1×10¹⁵cm^-3，N型漂移區的濃度為1×10¹⁵cm^-3，輕摻雜N緩沖區的濃度為3×10¹⁷cm^-3，P體區的濃度為1×10¹⁷cm^-3，陰極重摻雜N+區、陰極重摻雜 P+區、陽極P+區的濃度為1×10²¹cm^-3，陽極重摻雜N+區的濃度為5×10²⁰cm^-3。