[發明專利]高溫合金的真空冶煉工藝有效
| 申請號: | 201610192681.5 | 申請日: | 2016-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN105624473B | 公開(公告)日: | 2017-10-13 |
| 發明(設計)人: | 李道乾;劉玉庭;馬中鋼;王光華;孫紅波 | 申請(專利權)人: | 山東瑞泰新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C22C19/05 | 分類號: | C22C19/05;C22C1/02;C22C1/06 |
| 代理公司: | 青島發思特專利商標代理有限公司37212 | 代理人: | 王燕,耿霞 |
| 地址: | 256100 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高溫 合金 真空 冶煉 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及合金冶煉工藝,具體涉及一種高溫合金的真空冶煉工藝。
背景技術
航空航天以及民用高溫合金真空冶煉的技術難點在于,嚴格控制合金中的氣體含量(氧,氮,氫),降低合金中的有害雜質含量,減少合金元素的偏析,提高合金熔液的純凈度,從而達到提高合金的使用性能和壽命。然而,真空冶煉過程是一個十分復雜的熱加工工藝過程,任何一個工藝步驟的設計都會對合金的氣體含量,雜質含量以及合金的性能有重要影響。
合金中的O,N,S在合金溶液中會形成非金屬夾雜物,如(Al2O3),(Ti,Ta)C/N,(Ti,Ta)S。合金中非金屬夾雜物的多少和形態都會對合金綜合性能有重大影響。此外合金熔液的純凈度是衡量母合金錠質量和制造水平的重要指標。真空冶煉中是以碳為主要脫氧元素,由于碳的分解反應而達到將金屬溶液的氧脫除,從而達到減少合金中的氣體含量,純凈金屬溶液提高合金質量的目的。隨著碳脫氧反應的進行,一氧化碳氣體的溢出,將合金中的氫、氮有害氣體帶出。氧含量越低,金屬熔液更易蒸發,合金中的低熔點有害雜質元素也易于排除。
因而,脫氧是真空冶煉過程的一個關鍵步驟,脫氧效果直接決定了合金中的有害雜質含量,決定著能否提高合金的使用性能和壽命。
發明內容
本發明的目的是提供一種脫氧效果好、提高合金熔液的純凈度,減少合金元素的偏析,提高合金使用性能及壽命的高溫合金的真空冶煉工藝。
本發明所述的高溫合金的真空冶煉工藝,包括以下步驟:
(1)第一步碳脫氧:
將占高溫合金總含碳質量50%的石墨加入到真空爐坩堝內,置于坩堝最底部,再加入高溫合金所有元素冶煉至全部熔化形成金屬熔液;
(2)第二步碳脫氧:
金屬熔液溫度升至1570~1590℃,向坩堝內加入剩余的石墨,精煉,之后降溫;
(3)金屬鈣脫氧:
加入金屬鈣,全部熔化后,升溫至1550~1570℃,進行精煉,精煉過程中搖動坩堝,使得上浮到金屬熔液液面的浮渣排到坩堝壁的后部;
(4)冷凍金屬熔液:
降溫,溫度降至1360~1380℃;
(5)出鋼澆注:
升溫,溫度升至1450~1470℃時,進行出鋼澆注。
其中:
步驟(1)石墨為光譜石墨電極破碎至2~5mm的顆粒。
步驟(1)冶煉溫度1560~1580℃,冶煉時間20~30min。
步驟(2)金屬熔液溫度升至1570~1590℃,向坩堝內加入剩余的石墨,于功率80KW下精煉20~30min。
步驟(3)加入的金屬鈣全部熔化后,再將金屬熔液溫度升至1550~1570℃,于80KW下進行精煉10min,精煉5min時,開始搖動坩堝,使得上浮到金屬熔液液面的浮渣排到坩堝壁的后部,進行排渣處理。
步驟(3)金屬鈣的用量為高溫合金總質量的0.02~0.05%。金屬鈣應在最后加入,加入量過大,會在金屬熔液中形成脫氧反應夾雜物,因此要嚴格控制金屬鈣的加入量。加入金屬鈣進行深脫氧后要進行排渣處理也十分重要。
步驟(4)冷凍金屬熔液,可以采用停電后,自然降溫的形式,也可以采用其他降溫形式,本發明優選停電自然降溫的形式。
本發明的有益效果如下:
本發明采用了二次加碳深脫氧工藝、金屬鈣脫氧工藝以及冷凍金屬熔液工藝,在開始冶煉前先加入占高溫合金總含碳量的二分之一的石墨,石墨加在坩堝的底部。待加入的金屬全部熔化后,將金屬熔液升到一定溫度,進行二次加碳操作進一步深脫氧,降低功率開始精煉,在熔煉的后期冷凍金屬熔液之前,加入金屬鈣進行鈣脫氧,最后進行冷凍金屬熔液處理,保證最大限度的降低高溫合金中O,N,H有害氣體的含量和低熔點有害雜質的含量,達到純凈合金熔液,減少合金元素的偏析,保證合金性能的目的。
具體實施方式
以下結合實施例對本發明做進一步描述。
實施例1
按照K4169合金的標準采用本發明的真空冶煉工藝進行生產,其化學成分如表1所示,其性能見表2。
以200Kg真空爐為例,本發明的真空冶煉工藝如下:
(1)第一步碳脫氧:
將占高溫合金總含碳質量50%的石墨加入到真空爐坩堝內,置于坩堝最底部,再加入所有元素于1570±10℃下冶煉25min,至全部熔化形成金屬熔液;石墨采用光譜石墨電極破碎至2~5mm的顆粒;
(2)第二步碳脫氧:
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