[發明專利]一種砷化鎵基高電壓黃綠光發光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201610191079.X
• 申請日: 2016-03-30
• 公開（公告）號: CN105702822B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 趙宇;林鴻亮;張雙翔;楊凱;何勝;李洪雨;田海軍
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所32106
• 代理人: 江平

1.一種砷化鎵基底高電壓黃綠光發光二極管芯片，其特征在于：包括依次設置在n型GaAs基片一側的n型GaAs緩沖層、n型Bragg反射鏡層、n型載流子限制層、多量子阱有源區層、p型載流子限制層、GaP電阻層和GaP窗口層，在GaP窗口層下方設置GaP電阻層。

2.根據權利要求1所述砷化鎵基底高電壓黃綠光發光二極管芯片，其特征在于：所述n型GaAs基片為室溫下載流子濃度低于4×10¹⁷ cm^-3的低載流子濃度n型GaAs基片。

3.根據權利要求1或2所述砷化鎵基底高電壓黃綠光發光二極管芯片，其特征在于：所述GaP電阻層材料中同時使用鎂元素作為p型摻雜劑、硅元素作為n型摻雜劑，GaP電阻層材料的塊體電阻率>9×10^-3Ω?m。

4.如根據權利要求1所述的砷化鎵基底高電壓黃綠光發光二極管芯片的制作方法，包含以下步驟：

1）將n型GaAs基片置于MOCVD系統中的反應腔體中，加熱至600℃～700℃，去除基片表面的鈍化層，并于n型GaAs基片的一側沉積形成n型GaAs緩沖層；

2）在GaAs 緩沖層之上沉積形成n型Bragg反射鏡層；

3）在n型Bragg反射鏡層上沉積形成 n型載流子限制層；

4）在n型載流子限制層上沉積形成多量子阱有源區層；

5）在多量子阱有源區層上沉積形成 p型載流子限制層；

6）在 p型載流子限制層上沉積形成GaP電阻層；

7） 在GaP電阻層之上沉積形成GaP窗口層；

8）在GaP窗口層上設置第一電極，在n型GaAs基片的另一側設置第二電極。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于所述n型GaAs基片為室溫下載流子濃度低于4×10¹⁷ cm^-3的低載流子濃度n型GaAs基片。

6.根據權利要求4或5所述的制作方法，其特征在于在步驟6）中，同時使用鎂元素和硅元素作為摻雜劑。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于在步驟6）中，GaP電阻層材料的塊體電阻率>9×10^-3Ω?m。