[發明專利]一種PN結輔助觸發SCR-LDMOS結構的高壓ESD保護器件

有效

• 申請號: 201610189737.1
• 申請日: 2016-03-30
• 公開（公告）號: CN105742281B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 滕國兵;成建兵;陳旭東;郭厚東
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 朱小兵;朱楨榮

1.一種PN結輔助觸發SCR-LDMOS結構的高壓ESD保護器件，其特征在于，包括P型硅襯底，所述P型硅襯底上設有埋氧層，埋氧層上設有漂移區，漂移區的上方從左到右依次設有N-buffer區、P區、P-body區；所述N-buffer區中從左到右依次設有第一漏極重摻雜N+區和第一漏極重摻雜P+區；所述P-body區中從左到右依次設有第二源極重摻雜N+區、第二源極重摻雜P+區及第三源極重摻雜P+區；第一漏極重摻雜P+區和P區之間設有第一薄氧化層，P區和P-body區之間設有第二薄氧化層，第二源極重摻雜N+區和第二源極重摻雜P+區之間設有第三薄氧化層，第二源極重摻雜P+區和第三源極重摻雜P+區之間設有第四薄氧化層；P-body區完全包覆第二源極重摻雜N+區，即使形成溝道區，溝道區的上方設有多晶硅柵極，且多晶硅柵極延伸至第二薄氧化層的上表面；第一漏極重摻雜N+區和第一漏極重摻雜P+區通過導線相連；P區和第二源極重摻雜P+區通過導線相連；多晶硅柵極、第二源極重摻雜N+區、第三源極重摻雜P+區均接地。

2.根據權利要求1所述的一種PN結輔助觸發SCR-LDMOS結構的高壓ESD保護器件，其特征在于，所述P型硅襯底為SOI硅襯底。

3.根據權利要求1所述的一種PN結輔助觸發SCR-LDMOS結構的高壓ESD保護器件，其特征在于，多晶硅柵極、第二源極重摻雜N+區、第三源極重摻雜P+區均通過導線相連接地。

4.根據權利要求1所述的一種PN結輔助觸發SCR-LDMOS結構的高壓ESD保護器件，其特征在于，所述P區的濃度和P-body區的濃度相等。

5.根據權利要求1所述的一種PN結輔助觸發SCR-LDMOS結構的高壓ESD保護器件，其特征在于，所述P區與P-body區的距離可調。