[發(fā)明專利]一種肖特基二極管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610189447.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105655412A | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南通明芯微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/872 | 分類號(hào): | H01L29/872;H01L23/48 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 盧霞 |
| 地址: | 226600 江蘇省南通*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 肖特基 二極管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種肖特基二極管,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
二極管是電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過, 許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用來當(dāng)作電子式的可 調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。 二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷(稱為 逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。
二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si 管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極 管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu),又可分 為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。
現(xiàn)有的二極管存在如下不足之處:
1)引腳容易被折彎或折斷;
2)引腳在鑲嵌時(shí)容易插入過深,導(dǎo)致焊接不穩(wěn)固。
這些不足之處都嚴(yán)重影響了二極管的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,提供一種肖特基二極管。
本發(fā)明的肖特基二極管,包括設(shè)在頂部陽極金屬、設(shè)在陽極金屬下方且與陽極金 屬相連的N外延層、設(shè)在N外延層下方且與N外延層相連的N型半導(dǎo)體基片、設(shè)在N型半導(dǎo)體基 片下方且與N型半導(dǎo)體基片相連的N陰極層、設(shè)在N陰極層下方且與N陰極層相連的陰極金 屬、設(shè)在陰極金屬的三個(gè)引腳,中間是陽極引腳,兩邊是陰極引腳,所述的陽極金屬材料是 鉬,所述的N外延層、N型半導(dǎo)體基片和N陰極層均為硅片,所述的陽極金屬兩側(cè)設(shè)有二氧化 硅氧化絕緣層,所述的陽極引腳和陰極引腳上設(shè)有限位塊。
優(yōu)選地,
所述的陽極引腳和陰極引腳均采用二極管全自動(dòng)成型機(jī)制備。
本發(fā)明的肖特基二極管,具有如下技術(shù)效果:
1)引腳不容易被折彎或折斷;
2)引腳在鑲嵌時(shí)不容易插入過深,不會(huì)導(dǎo)致焊接不穩(wěn)固。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的肖特基二極管,包括設(shè)在頂部陽極金屬、設(shè)在陽極金屬下方且與陽極金 屬相連的N外延層、設(shè)在N外延層下方且與N外延層相連的N型半導(dǎo)體基片、設(shè)在N型半導(dǎo)體基 片下方且與N型半導(dǎo)體基片相連的N陰極層、設(shè)在N陰極層下方且與N陰極層相連的陰極金 屬、設(shè)在陰極金屬的三個(gè)引腳,中間是陽極引腳,兩邊是陰極引腳,所述的陽極金屬材料是 鉬,所述的N外延層、N型半導(dǎo)體基片和N陰極層均為硅片,所述的陽極金屬兩側(cè)設(shè)有二氧化 硅氧化絕緣層,所述的陽極引腳和陰極引腳上設(shè)有限位塊。所述的陽極引腳和陰極引腳均 采用二極管全自動(dòng)成型機(jī)制備。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





