[發明專利]一種半導體探測器有效
| 申請號： | 201610188180.X | 申請日： | 2013-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN105759303B | 公開（公告）日： | 2019-01-18 |
| 發明（設計）人： | 李元景;張嵐;李玉蘭;劉以農;傅楗強;江灝;鄧智;薛濤;張韡;李軍 | 申請（專利權）人： | 清華大學;同方威視技術股份有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/36 | 分類號： | G01T1/36 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體探測器，其特征在于，該半導體探測器包括半導體晶體、陰極、陽極、第一階梯電極和第二階梯電極；
所述半導體晶體包括頂面、底面、第一側面和第二側面，所述半導體晶體為長方體，所述第一側面與所述第二側面位置相對；
所述陽極設于所述頂面上，所述第一階梯電極位于所述第一側面上，所述第二階梯電極位于所述第二側面上，與所述第一側面和所述第二側面均相鄰的側面上不設置階梯電極；
所述底面與所述第一側面和所述第二側面的連接處的棱角被倒角，所述陰極覆蓋所述半導體晶體的倒角后的所述底面的全部區域；
所述第一階梯電極和所述第二階梯電極分別包括多個子電極，任意相鄰的兩個子電極之間設有間隙；
所述陰極、所述陽極、所述第一階梯電極和所述第二階梯電極都為沉積于所述半導體晶體表面的導電薄膜。
2.如權利要求1所述的半導體探測器，其特征在于，所述半導體晶體的材質包括HgI2、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2或AlSb。
3.如權利要求1所述的半導體探測器，其特征在于，所述陰極、所述陽極和所述階梯電極的材質包括Au、Pt、Ag、Cu、Al或ITO。
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