[發(fā)明專利]一種鈉離子電池負極用SnSe/Graphene復合電極材料的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610187642.6
• 申請日: 2016-03-29
• 公開（公告）號: CN105633483B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 黃劍鋒;程婭伊;李嘉胤;許占位;曹麗云;歐陽海波;齊慧;柴思敏
• 申請（專利權）人: 陜西科技大學
• 主分類號: H01M10/36
• 分類號: H01M10/36;H01M4/583;H01M4/38;H01M4/139
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種鈉離子電池負極用SnSe/Graphene復合電極材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)將30～80mg氧化石墨烯加入20～80mL去離子水中，攪拌均勻后超聲處理30～150min得到混合液A，然后再向所述混合液A中加入0.2～3.38g SnCl₂·2H₂O，攪拌均勻后超聲處理10～120min得到混合液B；

2)將所述混合液B轉移至聚四氟乙烯水熱釜中，然后將聚四氟乙烯水熱釜置于均相反應器中并在120～210℃下反應2～12h，反應結束后冷卻至室溫，然后通過離心將反應得到的粉體分離，將分離得到的粉體冷凍干燥得到SnO₂/Graphene復合材料；

3)將所述SnO₂/Graphene復合材料與硒粉研磨混合均勻后，于真空或惰性氣體保護下保溫反應0.5～5h，保溫溫度為500～900℃，反應結束后將所得粉體用水和無水乙醇洗滌，洗滌后烘干，得到SnSe顆粒/Graphene復合電極材料；

所述步驟3)中，所述SnO₂/Graphene復合材料與硒粉的質量比為1:1～20；

所述SnSe/Graphene復合電極材料中SnSe的粒徑為5～10nm，SnSe生長在石墨烯的表面。

2.根據(jù)權利要求1所述一種鈉離子電池負極用SnSe/Graphene復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述混合液A中氧化石墨烯的濃度為0.375～4mg·mL^-1。

3.根據(jù)權利要求1所述一種鈉離子電池負極用SnSe/Graphene復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中，SnCl₂·2H₂O與氧化石墨烯的質量比為2.5～112.75:1。

4.根據(jù)權利要求1所述一種鈉離子電池負極用SnSe/Graphene復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中，所述水熱釜的填充度控制在10～80％。

5.根據(jù)權利要求1所述一種鈉離子電池負極用SnSe/Graphene復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述氧化石墨烯的粒徑為0.3～5μm，厚度為0.55～1.2nm。

6.根據(jù)權利要求1所述一種鈉離子電池負極用SnSe/Graphene復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述烘干的溫度為50～110℃。