[發明專利]金屬納米球和微球的形成

在審

• 申請號: 201610187485.9
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN105762235A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: A·J·洪;鄭宇植;金志煥;羅載雄;D·K·薩達那
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/18;H01L31/042
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛南輝;于靜

1.一種納米顆粒，包括：

具有小于1微米的直徑的金屬球(204)，其通過采用表面張力而形成在非潤濕表面上；

所述金屬球具有根據形成所述金屬球的金屬膜的厚度和沉積速率限定的所述直徑。

2.根據權利要求1所述的納米顆粒，其中所述金屬球與多個金屬球同時形成，并且所述金屬球的直徑與平均直徑的標準偏差小于15％。

3.根據權利要求1所述的納米顆粒，其中所述直徑在20nm與1微米之間。

4.根據權利要求1所述的納米顆粒，其中所述金屬球包括錫、銦、鉛、銻、鉍、鋅及其合金中的一種或多種。

5.一種方法，包括：

調整(403)用于在襯底上沉積金屬膜的沉積速率，其中所述沉積速率控制將要在所述襯底的表面上形成的金屬球的密度；

向所述金屬膜施加(404)抗氧化劑；

在高于所述金屬膜的熔點的溫度下對所述金屬膜進行退火(406)從而形成不粘附到所述襯底的所述金屬球；以及

收集(408)所述金屬球。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述金屬膜包括在所述襯底上大于90度的潤濕角。

7.根據權利要求5所述的方法，其中調整沉積速率包括在0.1埃/s到10埃/s之間調整所述沉積速率。

8.根據權利要求5所述的方法，其中所述金屬球與多個金屬球同時形成，并且所述金屬球的直徑與平均直徑的標準偏差小于15％。

9.根據權利要求5所述的方法，其中所述金屬球包括20nm到1微米之間的直徑。

10.根據權利要求5所述的方法，其中所述金屬球包括錫、銦、鉛、銻、鉍、鋅及其合金中的一種或多種。

11.根據權利要求5所述的方法，其中收集所述金屬球包括使用水洗從非潤濕的襯底收集所述金屬球。