[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光顯示面板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610187482.5 | 申請日: | 2016-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN105789259B | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 熊志勇;肖堅堅;朱見杰 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬有機發(fā)光顯示技術(shù)有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種有機電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上的有機電致發(fā)光功能層,其中,所述有機電致發(fā)光功能層包括:第一電極層;位于所述第一電極層上的阻隔層,其中,所述阻隔層形成有多個陣列排布的開口區(qū);位于所述第一電極層上的所述開口區(qū)內(nèi)的有機發(fā)光層;以及覆蓋于所述阻隔層和所述有機發(fā)光層上的第二電極層;
位于所述有機電致發(fā)光功能層上的填充層,其中,所述填充層僅完全覆蓋所述開口區(qū);以及
位于所述填充層上的蓋板;
所述蓋板與所述填充層之間的距離大于零;
所述填充層覆蓋于位于所述開口區(qū)的第二電極層上,并且所述填充層的上表面與位于阻隔層上的第二電極層的上表面在同一平面內(nèi);或者所述填充層覆蓋于位于所述開口區(qū)的第二電極層上,并且所述填充層的上表面高于所述阻隔層上的第二電極層的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,采用以下至少一種方式形成所述填充層:蒸鍍方式、噴墨打印方式、涂布方式、沉積方式、涂布之后進行圖案化方式以及沉積之后進行圖案化方式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,當(dāng)所述填充層覆蓋于位于所述開口區(qū)的第二電極層上,并且所述填充層的上表面與位于阻隔層上的第二電極層的上表面在同一平面內(nèi)時,還包括第二填充子層,所述第二填充子層覆蓋于所述填充層的上表面和所述阻隔層上的第二電極層的上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的有機電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述填充層的材料為透光率大于80%的有機物或透光率大于80%的無機物。
5.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-4之一所述的有機電致發(fā)光顯示面板。
6.一種如權(quán)利要求1-4任一所述的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上形成有機電致發(fā)光功能層,其中,所述有機電致發(fā)光功能層包括開口區(qū);
在所述有機電致發(fā)光功能層上形成填充層,其中,所述填充層僅覆蓋所述開口區(qū);以及
在所述填充層上覆蓋蓋板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述有機電致發(fā)光功能層上形成填充層,包括:
在所述有機電致發(fā)光功能層上進行蒸鍍,形成所述填充層;或者
在所述有機電致發(fā)光功能層上進行噴墨打印,形成所述填充層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述有機電致發(fā)光功能層上形成填充層,還包括:
在所述有機電致發(fā)光功能層上進行涂布或沉積,形成所述填充層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述有機電致發(fā)光功能層上形成填充層,還包括:
在所述有機電致發(fā)光功能層上涂布或沉積所述填充層后,再對所述填充層進行圖案化,以使圖案化的所述填充層完全覆蓋所述開口區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-9之一所述的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法,其特征在于,所述方法還包括:
用玻璃粉封裝所述基板和所述蓋板,以使所述有機電致發(fā)光顯示面板密封。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





