[發(fā)明專利]一種晶圓級(jí)壓電振動(dòng)能量收集器真空封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610186003.8
• 申請(qǐng)日: 2016-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN105621350A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尚正國(guó);李東玲;佘引
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶大學(xué)
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種晶圓級(jí)壓電振動(dòng)能量收集器真空封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，所述晶圓級(jí)壓電振動(dòng)能 量收集器真空封裝結(jié)構(gòu)包括第一晶圓、第二晶圓和第三晶圓，三者通過(guò)共晶鍵合方式連接 成一體，形成真空腔室；所述第二晶圓設(shè)置于第一晶圓與第三晶圓之間，所述第二晶圓包括 固定架、懸臂梁、質(zhì)量塊、上電極和下電極，其特征在于：該方法包括以下步驟：

S1.第二晶圓制作：

S11.以SOI基片作為基底材料，雙面分別生長(zhǎng)頂層SiO₂層和底層SiO₂層，SOI基片包括頂 層Si層、中間夾層SiO₂層和底層Si層；

S12.在頂層SiO₂層上生長(zhǎng)下電極層并圖形化；

S13.在下電極層上生長(zhǎng)壓電層并圖形化；

S14.在壓電層上生長(zhǎng)上電極層并圖形化；

S15.在上電極層上生長(zhǎng)Ge層并圖形化；

S16.ICP刻蝕功能層Si至夾層SiO₂層；通過(guò)步驟S11～S16形成第二晶圓；

S2.第一晶圓和第三晶圓作制；

S21.分別在硅層上依次生長(zhǎng)SiO₂層及Al層并圖形化，ICP刻蝕至要求深度形成淺腔；

S3.第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行共晶鍵合；

S4.第二晶圓背面生長(zhǎng)Al層并圖形化，ICP刻蝕第二晶圓的底層Si層，形成質(zhì)量塊圖形， RIE去除底層SiO₂層；

S5.第三晶圓和第二晶圓進(jìn)行共晶鍵合，最終形成晶圓級(jí)壓電振動(dòng)能量收集器真空封 裝結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)壓電振動(dòng)能量收集器真空封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特 征在于：所述下電極Mo層的厚度為200nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)壓電振動(dòng)能量收集器真空封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特 征在于：所述上電極Al層的厚度為800～1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)壓電振動(dòng)能量收集器真空封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特 征在于：步驟S15中，所述Ge層的厚度為200nm。