[發明專利]直線加速器的虛源模型的優化方法

有效

• 申請號: 201610185847.0
• 申請日: 2016-03-29
• 公開（公告）號: CN105825067B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 姬長勝;李貴
• 申請（專利權）人: 上海聯影醫療科技有限公司
• 主分類號: G16H50/50
• 分類號: G16H50/50
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種直線加速器的虛源模型的優化方法，包括：

在蒙特卡羅的虛源模型中輸入直線加速器的配置參數；

獲得所述直線加速器在所述配置參數下的劑量分布數據，所述配置參數中包括第一開野規格；

對所述劑量分布數據進行抽樣并作為初級光子源的光子通量空間分布，其中所述劑量分布數據視為能注量分布，同時包含了能量和注量隨空間分布的效應；

調節所述配置參數中的所述第一開野規格為小于其的第二開野規格后，通過水箱測量所述直線加速器在所述配置參數下的劑量分布數據；

調節所述配置參數中的所述第一開野規格為小于其的第二開野規格后，所述虛源模型根據所述配置參數模擬計算得到劑量分布數據；以及

對所述虛源模型的部分參數進行調節直到模擬計算得到的劑量分布數據與所述水箱測量的劑量分布數據的誤差在預定范圍內。

2.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，還包括：

在獲得所述直線加速器在包括第一開野規格的所述配置參數下的劑量分布數據后對所述劑量分布數據進行特征函數擬合或離散化處理的步驟。

3.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，其中，在蒙特卡羅的虛源模型中輸入直線加速器的配置參數的步驟中，所述配置參數包括初始光子源與等中心平面的距離、初始光子源、散射光子源、電子源的相對位置信息、所述初始光子源、散射光子源、電子源的能譜信息、限束器與各個源的距離和/或開野的形狀大小。

4.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，其中，在獲得直線加速器在包括第一開野規格的所述配置參數下的劑量分布數據的步驟中，通過二維電離室矩陣探測器或者非晶硅平板探測器或膠片在空氣中測量所述直線加速器的劑量分布數據。

5.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，其中，在獲得直線加速器在包括第一開野規格的所述配置參數下的劑量分布數據的步驟中，通過全蒙特卡羅模擬方法模擬計算得到所述直線加速器在空氣中的劑量分布數據。

6.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，其中，在獲得直線加速器在包括第一開野規格的所述配置參數下的劑量分布數據的步驟中，所述第一開野規格為所述直線加速器的最大開野規格。

7.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，其中，在獲得直線加速器在包括第一開野規格的所述配置參數下的劑量分布數據的步驟中，所述劑量分布數據為在劑量測量平面上劑量在徑向上的平均數據。

8.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，其中，通過水箱測量所述直線加速器在包括第二開野規格的所述配置參數下的劑量分布數據的步驟中，所述劑量分布數據包括不同深度處的百分離軸劑量率(OAR)和/或百分深度劑量(PDD)。

9.根據權利要求1所述的虛源模型的優化方法，其中，對所述虛源模型的部分參數進行調節的步驟中，所述部分參數包括能譜、均整器與源的距離、限束器與源的距離和/或能譜隨空間的軟化參數。

10.根據權利要求2所述的虛源模型的優化方法，其中，所述特征函數擬合中，擬合函數為至少一個高斯函數和/或至少一個均勻分布函數。