[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610183777.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105702807B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林建偉;季根華;劉志鋒;孫玉海;張育政 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泰州中來(lái)光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11137 | 代理人: | 林建軍 |
| 地址: | 225500 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 制備 方法 電池 組件 系統(tǒng) | ||
1.一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)、對(duì)太陽(yáng)能電池基體進(jìn)行預(yù)處理;
(2)、在太陽(yáng)能電池基體的背表面使用金屬漿料印刷3~6根等分的背面主柵并烘干,其中一根背面主柵設(shè)置在太陽(yáng)能電池基體的邊緣;
(3)、使用切割裝置沿步驟(2)中印刷的背面主柵將太陽(yáng)能電池基體切割成片;
(4)、將切割后的太陽(yáng)能電池基體的正表面鋪設(shè)粘附有摻鋁銀漿或者銀漿的金屬線并烘干,其中遠(yuǎn)離背面主柵的金屬線延伸出太陽(yáng)能電池基體的邊緣,延伸部分的金屬線用于串接太陽(yáng)能電池基體;
(5)、將步驟(4)得到的太陽(yáng)能電池基體燒結(jié),完成太陽(yáng)能電池的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:所述金屬線為鍍銀銅線、鋁線或者銅線,所述金屬線的直徑為40-80微米,遠(yuǎn)離背面主柵的金屬線延伸出太陽(yáng)能電池基體的邊緣6-10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:步驟(5)中燒結(jié)的峰值溫度為850-950℃;所述切割裝置是激光切割機(jī)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:所述背面主柵寬2-6mm;所述金屬漿料是銀漿或者摻鋁銀漿。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:所述太陽(yáng)能電池基體是P型太陽(yáng)能電池基體,在步驟(2)中,太陽(yáng)能電池基體的背表面使用鋁漿印刷背面鋁電極并進(jìn)行烘干。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:步驟(1)中對(duì)太陽(yáng)能電池基體進(jìn)行預(yù)處理的步驟為:
S1P、選擇的P型太陽(yáng)能電池基體,并對(duì)P型太陽(yáng)能電池基體的表面作制絨處理;P型太陽(yáng)能電池基體的電阻率為0.5~15Ω·cm,其厚度為50~300μm;
S2P、將步驟S1P處理后的P型太陽(yáng)能電池基體放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中進(jìn)行磷擴(kuò)散,磷源采用三氯氧磷,擴(kuò)散溫度為800-900℃,時(shí)間為60-120分鐘;磷擴(kuò)散后的方阻值為50-150Ω/sqr;
S3P、將磷擴(kuò)散后的P型太陽(yáng)能電池基體放入刻蝕清洗機(jī)中,去除背面的磷擴(kuò)散層和正面的磷硅玻璃層;
S4P、將步驟S3P處理后的P型太陽(yáng)能電池基體放入PECVD設(shè)備中,在正表面鍍上氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:所述太陽(yáng)能電池基體是N型太陽(yáng)能電池基體,所述N型太陽(yáng)能電池基體的背表面印刷有H型柵線電極并烘干。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于:步驟(1)中對(duì)太陽(yáng)能電池基體進(jìn)行預(yù)處理的步驟為:
S1N、選擇N型太陽(yáng)能電池基體,并對(duì)N型太陽(yáng)能電池基體的前表面作制絨處理;N型太陽(yáng)能電池基體的電阻率為0.5~15Ω·cm;N型太陽(yáng)能電池基體的厚度為50~300μm;
S2N、將步驟S1N處理后的N型太陽(yáng)能電池基體放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中對(duì)制絨面進(jìn)行硼擴(kuò)散,硼源采用三溴化硼,擴(kuò)散溫度為920-1000℃,時(shí)間為60-180分鐘;硼擴(kuò)散后的方阻值為40-100Ω/sqr;
S3N、將硼擴(kuò)散后的硅基體放入刻蝕清洗機(jī)中,去除背面的硼擴(kuò)散層和正面的硼硅玻璃層;
S4N、使用離子注入機(jī)在步驟S3N處理后的N型太陽(yáng)能電池基體背面注入磷原子并進(jìn)行退火處理,退火的峰值溫度為700~950℃,退火時(shí)間為30~200min,環(huán)境氣源為N2和O2;
S5N、將步驟S4N處理后的N型太陽(yáng)能電池基體放入清洗機(jī)中,去除正面和背面的氧化層;
S6N、將步驟S5N處理后的N型太陽(yáng)能電池基體放入PECVD設(shè)備中,在正面和背面均鍍上氮化硅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8任一所述的一種太陽(yáng)能電池的制備方法制備得到的太陽(yáng)能電池的串接方法,其特征在于:首先在太陽(yáng)能電池基體的背面主柵上涂覆錫膏或者導(dǎo)電膠,然后將第一塊太陽(yáng)能電池基體的金屬線壓在第二塊太陽(yáng)能電池基體背面主柵的錫膏或者導(dǎo)電膠上,加熱至183-250攝氏度完成正面金屬線和背面主柵的連接;重復(fù)這一步驟即可完成多塊電池片的串接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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