[發明專利]一種半導體光放大器裝置和操作方法

有效

• 申請號: 201610183621.7
• 申請日: 2016-03-28
• 公開（公告）號: CN107238992B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 孫曉;高震森
• 申請（專利權）人: 上海諾基亞貝爾股份有限公司
• 主分類號: G02F1/39
• 分類號: G02F1/39
• 代理公司: 北京啟坤知識產權代理有限公司 11655
• 代理人: 趙晶

1.一種半導體光放大器(SOA)裝置，包括：

光檢測裝置，用于測量輸入到所述半導體光放大器的光信號的功率；

控制裝置，用于基于所述光檢測器所測量的功率將多路電流分別注入到各個驅動電極；

半導體光放大器，具有上層半導體襯底和下層半導體襯底，所述上層半導體襯底和下層半導體襯底中間具有半導體波導層，并且有多個驅動電極位于所述上層半導體襯底的表面上，所述多個驅動電極沿著光放大器波導層中的光傳播方向延伸；

其中，所述控制裝置能夠將注入到驅動電極中的第一驅動電極的電流調整為多個不同的非零值，使得響應于所檢測的功率小于預定閾值，第一驅動電極和第二驅動電極的注入電流的比值為第一比值，響應于所檢測的功率大于預定閾值，第一驅動電極和第二驅動電極的注入電流的比值為第二比值。

2.根據權利要求1所述的SOA裝置，其中，所述半導體光放大器包括絕緣區域，所述絕緣區域位于所述上層半導體襯底的表面上，并且，所述絕緣區域的一部分位于所述多個驅動電極的相鄰邊緣之間。

3.根據權利要求1或2所述的SOA裝置，其中，在所述多個驅動電極的下面和各個驅動電極之間，所述光放大器波導層不具有橫向于所述光傳播方向的光接口。

4.根據權利要求1或2所述的SOA裝置，其中，所述光檢測器包括光電二極管或光電晶體管，用于接收所述光信號的一部分。

5.根據權利要求1或2所述的SOA裝置，其中，所述SOA裝置還包括：

光分離裝置，用于將所述光信號的一部分傳輸至所述光檢測器并將所述光信號的一部分傳輸至所述半導體放大器；

延時裝置，所述延時裝置被放置于所述光分離器與所述半導體光放大器的輸入端之間。

6.一種操作SOA裝置的方法，其中，所述方法包括以下步驟：

檢測輸入到SOA裝置的光信號的功率，所述SOA裝置具有多個半導體光放大區域和多個驅動電極，每個半導體光放大區域與多個驅動電極中的相應的一個驅動電極相連接，以接收來自該驅動電極的驅動電流；

基于所檢測的輸入光信號的功率，調節分別通過所述多個驅動電極注入到所述多個半導體光放大區域的多個電流大小，使得驅動電極中的第一驅動電極的電流具有多個不同的非零值，使得響應于所檢測的功率小于預定閾值，第一驅動電極和第二驅動電極的注入電流的比值為第一比值，響應于所檢測的功率大于預定閾值，第一驅動電極和第二驅動電極的注入電流的比值為第二比值。