[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610182437.0 | 申請日： | 2010-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN105789322B | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 山崎舜平;津吹將志;鄉(xiāng)戶宏充 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 葉曉勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其特征在于，
在具有絕緣表面的襯底上具有柵電極層，
在所述柵電極層上具有柵極絕緣層，
在所述柵極絕緣層上具有氧化物半導體層，
在所述氧化物半導體層上具有源電極層及漏電極層，
在所述柵極絕緣層、所述氧化物半導體層、所述源電極層及所述漏電極層上具有與所述氧化物半導體層的一部分及所述柵極絕緣層的一部分接觸的保護絕緣層，
所述氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅，
在室溫以上180℃以下的溫度范圍中，閾值電壓的變動幅度為3V以下。
2.一種半導體裝置，其特征在于，
在具有絕緣表面的襯底上具有柵電極層，
在所述柵電極層上具有柵極絕緣層，
在所述柵極絕緣層上具有氧化物半導體層，
在所述氧化物半導體層上具有源電極層及漏電極層，
在所述柵極絕緣層、所述氧化物半導體層、所述源電極層及所述漏電極層上具有與所述氧化物半導體層的一部分及所述柵極絕緣層的一部分接觸的保護絕緣層，
所述氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅，
在－25℃以上150℃以下的溫度范圍中，閾值電壓的變動幅度為3V以下。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
