[發明專利]晶體硅刻槽埋柵電池的鈍化接觸電極結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201610180452.1
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN105633218B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 肖博
• 申請（專利權）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良,劉海

1.一種晶體硅刻槽埋柵電池的鈍化接觸電極結構的制備方法，其特征是，包括以下步驟：

第一步，在硅襯底（1）表面生長第一鈍化層（2）；

第二步，使用激光開槽，在硅襯底（1）上形成槽體（3），槽體（3）由第一鈍化層（2）表面延伸至硅襯底（1）內部；

第三步，在第一鈍化層（2）表面生成第二鈍化層（4），第二鈍化層（4）覆蓋第一鈍化層（2）的表面以及槽體（3）的側壁和底部；

第四步，在槽體（3）中金屬化形成電極（5），使電極（5）嵌在硅襯底（1）中；所述電極（5）與槽體（3）由第二鈍化層（4）隔開；

所述第一鈍化層（2）采用氮化硅薄膜；所述第一鈍化層（2）的厚度為75nm；所述激光的波長為600～1200nm；所述第二鈍化層（4）的厚度≤10nm；所述第二鈍化層（4）采用ALD生長的氧化鋁。