[發(fā)明專利]一種OLED器件及顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610179872.8
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN105633293A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 王欣欣;許名宏;賈文斌;彭銳;葉志杰;胡月
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種OLED器件，其特征在于，包括襯底基板以及依次層疊設置在所 述襯底基板的上方的陽極、有機功能層和陰極，所述陽極背離所述有機功能 層的側(cè)面設置有熱膨脹層，或/和，所述陰極背離所述有機功能層的側(cè)面設置 有所述熱膨脹層，所述熱膨脹層為透明熱膨脹層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述熱膨脹層位于 所述陽極與所述襯底基板之間，且所述熱膨脹層與所述陽極接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述有機功能層發(fā) 出的光透過所述陰極射出所述OLED器件外，所述OLED器件還包括位于所 述陽極與所述襯底基板之間的反射層，所述熱膨脹層位于所述反射層與所述 陽極之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件還 包括透明保護層，所述透明保護層位于所述陰極上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述有機功能層發(fā) 出的光透過所述陽極射出所述OLED器件外，所述OLED器件還包括位于所 述陽極與所述襯底基板之間的半透半反層，所述熱膨脹層位于所述半透半反 層與所述陽極之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述有機功能層發(fā) 出的光透過所述陰極射出所述OLED器件外，所述熱膨脹層位于所述陰極背 離所述有機功能層的側(cè)面，且所述熱膨脹層與所述陰極接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件還 包括反射層和過渡層，所述反射層位于所述陽極與所述襯底基板之間，所述 過渡層位于所述反射層與所述襯底基板之間，且所述過渡層分別與所述反射 層和所述襯底基板接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述有機功能層發(fā) 出的光透過所述陰極射出所述OLED器件外，所述陽極背離所述有機功能層 的側(cè)面和所述陰極背離所述有機功能層的側(cè)面分別設置有所述熱膨脹層，且 位于所述陽極背離所述有機功能層的側(cè)面的所述熱膨脹層與所述陽極接觸， 位于所述陰極背離所述有機功能層的側(cè)面的所述熱膨脹層與所述陰極接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED 器件還包括與外部電路連接的電熱層，所述電熱層位于所述熱膨脹層背離所 述有機功能層的側(cè)面，且所述電熱層與所述熱膨脹層接觸，所述電熱層為透 明電熱層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述熱膨脹層為 堿金屬硅酸鹽和多元醇形成的混合熱膨脹材料熱膨脹層；或

所述熱膨脹層為氧化鋯和鉬形成的氧化鋯-鉬梯度材料熱膨脹層；或

所述熱膨脹層為負熱膨脹材料熱膨脹層。

11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置設置有如權(quán)利要求1-10 任一所述的OLED器件。