[發明專利]利用低介電常數超材料制備的磁光隔離器有效

申請號：	201610179774.4	申請日：	2016-03-25
公開（公告）號：	CN105739135B	公開（公告）日：	2018-04-10
發明（設計）人：	陳將偉;宦杰;楊曉霞;陶志闊;謝國治	申請（專利權）人：	南京郵電大學
主分類號：	G02F1/09	分類號：	G02F1/09;G02B1/00
代理公司：	江蘇愛信律師事務所32241	代理人：	唐小紅
地址：	210046 ***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	利用介電常數材料制備隔離器
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【權利要求書】：

1.利用低介電常數超材料制備的磁光隔離器，其特征在于:采用一維單缺陷磁光光子晶體結構的結構式：G2G1G2G1MG1G2G1G2G1G2G1G2G1，其中，G1為厚度0.1210微米的五氧化二鈦；G2為厚度0.3454微米的低介電常數超材料；M是厚度4.3462微米的摻鉍釔鐵石榴石；G1和G2的厚度均為1/4光學波長，M的厚度為10倍光學波長；

所述結構應用的中心波長為1.053微米；G1的介電常數是4.73；G2的介電常數是0.581；M介電張量中ε_xx＝ε_yy＝5.87，ε_xy＝-ε_yx＝0.00283，ε_zz≈ε_xx，其他矩陣元為零；

當光垂直射入所述隔離器時，中心波長處的克爾旋轉角達44.97923°，能量反射率達98.91675％。

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