[發(fā)明專利]三參數(shù)韋伯分布處理閃絡(luò)電壓分析絕緣材料性能的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610178708.5
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN105868544B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝慶;梁少棟;闞宇強(qiáng);劉利珍;焦羽豐;付可欣;黃河;律方成
• 申請（專利權(quán)）人: 華北電力大學(xué)（保定）
• 主分類號(hào): G06F19/00
• 分類號(hào): G06F19/00
• 代理公司: 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種三參數(shù)韋伯分布處理閃絡(luò)電壓分析絕緣材料性能的方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：采集n個(gè)閃絡(luò)電壓，按升序排列組建電壓向量U＝{u_i},n≥i≥1，i為失效序數(shù)，表示u_i在閃絡(luò)電壓樣本數(shù)據(jù)中的排序；若2個(gè)以上閃絡(luò)電壓樣本數(shù)據(jù)相等，則賦予它們相同的失效序數(shù)；

步驟2：建立三參數(shù)韋伯分布閃絡(luò)電壓概率模型：

F(x)=1-exp[-(x-γα)β]---(1)]]>

其中，F(xiàn)(x)表示閃絡(luò)電壓為x時(shí)的累積閃絡(luò)概率；α、β和γ分別為尺度參數(shù)、形狀參數(shù)和位置參數(shù)；

步驟3：計(jì)算各失效序數(shù)為i的閃絡(luò)電壓對(duì)應(yīng)的累積閃絡(luò)概率F(u_i)，其計(jì)算方法為：

F(ui)=i-0.3n+0.4---(2)]]>

步驟4：用(u_i,F(u_i))數(shù)據(jù)對(duì)擬合所述三參數(shù)韋伯分布閃絡(luò)電壓概率模型中的尺度參數(shù)α、形狀參數(shù)β和位置參數(shù)γ；

步驟5：使用所述三參數(shù)韋伯分布閃絡(luò)電壓概率模型分析絕緣材料的性能。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三參數(shù)韋伯分布處理閃絡(luò)電壓分析絕緣材料性能的方法，其特征在于：所述步驟4中擬合所述三參數(shù)韋伯分布閃絡(luò)電壓概率模型中的尺度參數(shù)α、形狀參數(shù)β和位置參數(shù)γ的方法，由以下具體步驟組成：

步驟4-1：設(shè)置執(zhí)行次數(shù)t為0；設(shè)定位置參數(shù)γ的初始估計(jì)值γ0；

步驟4-2：執(zhí)行次數(shù)t加1；更新位置參數(shù)γ的估計(jì)值γ_t為：

γ_t＝γ_t-1+Δγ(3)

其中Δγ為所述位置參數(shù)γ的更新步長；

步驟4-3：計(jì)算所述各失效序數(shù)為i的閃絡(luò)電壓對(duì)應(yīng)的第一參數(shù)Y_i＝ln{-ln[1-F(u_i)]}和第二參數(shù)X_i＝ln(u_i-γ_p)；

步驟4-4：利用最小二乘法對(duì)所述第一參數(shù)和第二參數(shù)組建的數(shù)據(jù)對(duì)(X_i，Y_i)進(jìn)行線性擬合：

Y＝p_tX+q_t(4)

其中，p_t和q_t分別為第一和第二擬合參數(shù)；X和Y分別為第一和第二參數(shù)；

步驟4-5：計(jì)算最小二乘誤差e_p；

步驟4-6：判斷位置參數(shù)γ的估計(jì)值γ_p是否大于失效序數(shù)為1的閃絡(luò)電壓u1，如果是，轉(zhuǎn)向步驟4-7；否則，轉(zhuǎn)向步驟4-2；

步驟4-7：查找最小的最小二乘誤差e_min和相應(yīng)的位置參數(shù)γ的最小的估計(jì)值γ_min、最小的第一和第二擬合參數(shù)p_min和q_min；

步驟4-8：計(jì)算所述尺度參數(shù)和形狀參數(shù)的擬合數(shù)值α和β：

α=e-qmin/pmin,β=pmin---(5).]]>