[發明專利]相變存儲器單元的寫初始化方法及其陣列的寫初始化方法有效
| 申請號： | 201610178596.3 | 申請日： | 2016-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN105869671B | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發明（設計）人： | 王月青;蔡道林;陳一峰;宋志棠;魏宏陽;霍如如 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 存儲器 單元 初始化 方法 及其 陣列 | ||
【說明書】：
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