[發明專利]一種具有通孔電極的LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201610178487.1
• 申請日: 2016-03-28
• 公開（公告）號: CN105633242A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 蔡鵬;何鍵云
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種具有通孔電極的LED芯片及其制 作方法。

背景技術

發光二極管（Light-EmittingDiode，LED）具有高亮度、低能耗、響應速度快等優 點，發光二極管作為新型高效的固體光源，在室內照明、景觀照明、顯示屏、信號指示等領域 都有廣泛的應用。

目前，LED芯片的N型電極和P型電極的結構都為圓環電極加電流擴展線（finger）（如圖 1a和1b所示），這樣的結構使電流分布均勻，從而起到電流擴展作用。但是，電極finger線的 制備需要蝕刻部分有源層，減少發光面積，導致LED芯片亮度降低。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種具有通孔電極的LED芯片及其制作方法，以解決現有技 術中finger線使亮度降低的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底表面上形成外延層，所述外延層包括：在所述襯底表面的N型GaN層，位于N 型GaN層背離襯底一側的有源層，位于有源層背離襯底一側的P型GaN層；

對所述外延層進行刻蝕，直至露出所述N型GaN層，形成3個以上電極通孔；

在所述P型GaN層背離所述襯底一側形成一電流擴展層；

在所述電極通孔側壁且所述電流擴展層背離所述襯底一側表面形成絕緣層；

在所述絕緣層表面和所述電極通孔內形成N型電極，并在未覆蓋有所述絕緣層的電流 擴展層表面形成P型電極，所述電極通孔對應的N型電極在絕緣層表面形成導電性連接。

優選的，所述電極通孔為等大或不等大。

優選的，所述電極通孔呈對稱排列。

優選的，所述電極通孔可以為圓形、橢圓形、方形、三角形或菱形。

優選的，所述導電性連接為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一種或幾種合金的線性 連接。

優選的，所述線性連接為串聯連接。

優選的，所述P型電極和N型電極的材料為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一種或幾 種合金，其厚度范圍為2-4um。

優選的，還包括：在形成所述P型氮化鎵層之后和形成所述電流擴展層之前在所述 P型氮化鎵層背離所述襯底一側形成電流阻擋層。

相應的，本發明還提供了一種具有通孔電極的LED芯片，其特征在于，所述具有通 孔電極的LED芯片采用上述制作方法制作而成。

與現有技術相比，本發明所提供的技術方案具有以下優點：

一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法，通過形式3個以上電極通孔并進行導電性連 接，且所述電極通孔對應的N型電極在絕緣層表面具有導電性連接，使發光二極管的電流分 布更均勻。此外，與傳統的由圓形電極連接finger線組成的N型電極相比，本發明通過形成3 個以上電極通孔，且所述電極通孔的N型電極在絕緣層表面具有導電性連接，將連續的 finger線變成不連續的電極通孔，化線為點，大大減少有源層的刻蝕面積，從而提高發光效 率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖做簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根 據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a為現有技術中具有圓環電極加電流擴展線（finger）電極結構的發光二極管 的結構示意圖；

圖1b為現有技術中具有圓環電極加電流擴展線（finger）電極結構的發光二極管的電 極俯視圖；

圖2為本發明一個實施例提供的一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法的流程圖；

圖3a至圖3f為本發明一個實施例提供的一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法的流 程示意圖；

圖4為本發明一個實施例提供的電極俯視圖。

具體實施方式