[發明專利]氮化鎵晶體管的制作方法

在審

• 申請號: 201610178295.0
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN107230634A
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 劉美華;孫輝;林信南;陳建國
• 申請（專利權）人: 北京大學;北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬爽,黃健

1.一種氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底表面上依次生長GaN緩沖層、AlGaN勢壘層，并在所述AlGaN勢壘層的表面上生長GaN冒層；

在所述GaN冒層的表面上依次淀積氮化硅層和氧化層；

采用刻蝕工藝對預設的第一區域下的所述氧化層、氮化硅層以及所述GaN冒層進行刻蝕，形成源漏極接觸孔；

淀積源漏極金屬層，并通過光刻工藝對位于預設的第二區域上的所述源漏極金屬層進行刻蝕形成源漏極；

通過刻蝕工藝對預設的第三區域下的所述氧化層和所述氮化硅層進行刻蝕，形成陽極接觸孔，其中所述第三區域包含于所述第二區域；

淀積柵極金屬，并通過光刻工藝對所述柵極金屬進行刻蝕，形成柵極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化層為PETEOS氧化層，所述在所述GaN冒層的表面上依次淀積氮化硅層和氧化層，包括：

在溫度小于300攝氏度的條件下，在所述GaN冒層的表面上淀積所述氮化硅層；

采用氣相淀積的工藝在所述氮化硅層的表面上淀積所述PETEOS氧化層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用刻蝕工藝對第一區域下的所述氧化層、氮化硅層以及所述GaN冒層進行刻蝕，形成源漏極接觸孔，包括：

在所述氧化層的表面上，位于所述第一區域以外的區域上涂抹一層光刻膠；

在光刻膠的遮擋下對所述氧化層進行刻蝕直至露出所述氮化硅層為止，形成第一氧化層開孔；

采用刻蝕工藝對所述第一氧化層開孔內的氮化硅層和GaN冒層進行刻蝕，直至露出所述AlGaN勢壘層的表面為止，形成源漏極接觸孔，并去除光刻膠。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述淀積源漏極金屬層，并通過光刻工藝對位于第二區域上的所述源漏極金屬層進行刻蝕形成源漏極，包括：

通過電子束蒸發工藝在晶體管的表面上淀積一層源漏極金屬層；

在所述第二區域以外的區域上涂抹一層光刻膠，并在所述光刻膠的遮擋下對所述第二區域上的源漏極金屬層進行刻蝕，直至露出所述氧化層的表面為止，形成源漏極，去除光刻膠。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述通過刻蝕工藝對第三區域下的所述氧化層和所述氮化硅層進行刻蝕，形成陽極接觸孔，包括：

在晶體管的表面上除所述第三區域以外的區域上涂抹光刻膠，并在所述光刻膠的遮擋下對所述氧化層進行刻蝕，形成第二氧化層開孔；

采用刻蝕工藝對所述第二氧化層開孔內的氮化硅層進行刻蝕，直至露出所述GaN冒層為止，形成開孔大小小于所述第二氧化層開孔大小的開孔。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述淀積柵極金屬，并通過光刻工藝對所述柵極金屬進行刻蝕，形成柵極，包括：

通過電子束蒸發工藝在晶體管的表面上淀積一層柵極金屬；

在第四區域上涂抹一層光刻膠，其中，所述第四區域包含于所述第二區域，包含所述第三區域；

在所述光刻膠的遮擋下對除所述第四區域以外的區域下的所述柵極金屬進行刻蝕，形成源漏極，去除光刻膠。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底。